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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251
详细描述:通孔 P 沟道 60V 8.83A(Ta) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU08P06P
仓库库存编号:
SPU08P06PIN-ND
别名:SP000012086
SPU08P06PIN
SPU08P06PX
SPU08P06PXTIN
SPU08P06PXTIN-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N03S2-03
仓库库存编号:
SPP100N03S2-03IN-ND
别名:SPP100N03S2-03IN
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP170PE6327
仓库库存编号:
BSP170PE6327INCT-ND
别名:BSP170PE6327INCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2-03
仓库库存编号:
SPB100N03S203INTR-ND
别名:SPB100N03S203INTR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1405Z
仓库库存编号:
IRF1405Z-ND
别名:*IRF1405Z
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 230W(Tc) TO-262
型号:
IRF1405ZL
仓库库存编号:
IRF1405ZL-ND
别名:*IRF1405ZL
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1405ZS
仓库库存编号:
IRF1405ZS-ND
别名:*IRF1405ZS
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 75A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF2807Z
仓库库存编号:
IRF2807Z-ND
别名:*IRF2807Z
SP001563202
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 75A(Tc) 170W(Tc) TO-262
型号:
IRF2807ZL
仓库库存编号:
IRF2807ZL-ND
别名:*IRF2807ZL
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 75A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRF2807ZS
仓库库存编号:
IRF2807ZS-ND
别名:*IRF2807ZS
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3205Z
仓库库存编号:
IRF3205Z-ND
别名:*IRF3205Z
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 170W(Tc) TO-262
型号:
IRF3205ZL
仓库库存编号:
IRF3205ZL-ND
别名:*IRF3205ZL
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3205ZS
仓库库存编号:
IRF3205ZS-ND
别名:*IRF3205ZS
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 48W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4105Z
仓库库存编号:
IRFR4105Z-ND
别名:*IRFR4105Z
SP001571602
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 42A(Tc) 140W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3710Z
仓库库存编号:
IRFU3710Z-ND
别名:*IRFU3710Z
SP001565168
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 30A(Tc) 48W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU4105Z
仓库库存编号:
IRFU4105Z-ND
别名:*IRFU4105Z
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 330W(Tc) D2PAK
型号:
IRF2804STRL
仓库库存编号:
IRF2804STRL-ND
别名:SP001555150
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 330W(Tc) D2PAK
型号:
IRF2804STRR
仓库库存编号:
IRF2804STRR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3710ZTR
仓库库存编号:
IRFR3710ZTR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3710ZTRL
仓库库存编号:
IRFR3710ZTRL-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3710ZTRR
仓库库存编号:
IRFR3710ZTRR-ND
别名:SP001575918
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 48W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4105ZTR
仓库库存编号:
IRFR4105ZTR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 48W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4105ZTRL
仓库库存编号:
IRFR4105ZTRL-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 48W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4105ZTRR
仓库库存编号:
IRFR4105ZTRR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 7.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7495TR
仓库库存编号:
IRF7495TR-ND
别名:SP001559948
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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