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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 2.4W（Ta），170W（Tc） TO-262
型号：
IRF1104L
仓库库存编号：
IRF1104L-ND
别名：*IRF1104L
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 2.4W（Ta），170W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1104S
仓库库存编号：
IRF1104S-ND
别名：*IRF1104S
SP001563014
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 2.4W（Ta），170W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1104STRL
仓库库存编号：
IRF1104STRL-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 2.4W（Ta），170W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1104STRR
仓库库存编号：
IRF1104STRR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 3.8W（Ta），160W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1310NSTRR
仓库库存编号：
IRF1310NSTRR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 162A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1404STRR
仓库库存编号：
IRF1404STRR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 131A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1405S
仓库库存编号：
IRF1405S-ND
别名：*IRF1405S
SP001561508
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 131A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1405STRR
仓库库存编号：
IRF1405STRR-ND
别名：SP001564256
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 82A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
型号：
IRF2807STRL
仓库库存编号：
IRF2807STRL-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 110A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3205STRR
仓库库存编号：
IRF3205STRR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3315STRL
仓库库存编号：
IRF3315STRL-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3315STRR
仓库库存编号：
IRF3315STRR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 43A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3415STRR
仓库库存编号：
IRF3415STRR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 74A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 74A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF4905STRR
仓库库存编号：
IRF4905STRR-ND
别名：SP001561660
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 9.7A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） TO-262
型号：
IRF520NL
仓库库存编号：
IRF520NL-ND
别名：*IRF520NL
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.7A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
型号：
IRF520NSTRL
仓库库存编号：
IRF520NSTRL-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.7A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
型号：
IRF520NSTRR
仓库库存编号：
IRF520NSTRR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7458TR
仓库库存编号：
IRF7458TR-ND
别名：SP001575116
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.8A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9520NSTRL
仓库库存编号：
IRF9520NSTRL-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.8A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9520NSTRR
仓库库存编号：
IRF9520NSTRR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 14A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9530NSTRR
仓库库存编号：
IRF9530NSTRR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 23A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9540NSTRR
仓库库存编号：
IRF9540NSTRR-ND
别名：SP001555904
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 12A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z24NSTRL
仓库库存编号：
IRF9Z24NSTRL-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 12A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z24NSTRR
仓库库存编号：
IRF9Z24NSTRR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 19A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z34NSTRR
仓库库存编号：
IRF9Z34NSTRR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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