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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 162A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 162A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
型号：
IRF1404L
仓库库存编号：
IRF1404L-ND
别名：*IRF1404L
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 82A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 75V 82A（Tc） 230W（Tc） TO-262
型号：
IRF2807L
仓库库存编号：
IRF2807L-ND
别名：*IRF2807L
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 110A（Tc） 200W（Tc） TO-262
型号：
IRF3205L
仓库库存编号：
IRF3205L-ND
别名：*IRF3205L
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） TO-262
型号：
IRF3315L
仓库库存编号：
IRF3315L-ND
别名：*IRF3315L
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 43A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 150V 43A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
型号：
IRF3415L
仓库库存编号：
IRF3415L-ND
别名：*IRF3415L
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 57A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 57A（Tc） 200W（Tc） TO-262
型号：
IRF3710L
仓库库存编号：
IRF3710L-ND
别名：*IRF3710L
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 17A（Tc） 3.8W（Ta），70W（Tc） TO-262
型号：
IRF530NL
仓库库存编号：
IRF530NL-ND
别名：*IRF530NL
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 33A（Tc） 130W（Tc） TO-262
型号：
IRF540NL
仓库库存编号：
IRF540NL-ND
别名：*IRF540NL
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 150W（Tc） TO-262
型号：
IRF640NL
仓库库存编号：
IRF640NL-ND
别名：*IRF640NL
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 17A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） TO-262
型号：
IRFZ24NL
仓库库存编号：
IRFZ24NL-ND
别名：*IRFZ24NL
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 29A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） TO-262
型号：
IRFZ34NL
仓库库存编号：
IRFZ34NL-ND
别名：*IRFZ34NL
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 48A（Tc） 110W（Tc） TO-262
型号：
IRFZ44EL
仓库库存编号：
IRFZ44EL-ND
别名：*IRFZ44EL
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 53A（Tc） 3.8W（Ta），107W（Tc） TO-262
型号：
IRFZ46NL
仓库库存编号：
IRFZ46NL-ND
别名：*IRFZ46NL
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 64A（Tc） 3.8W（Ta），130W（Tc） TO-262
型号：
IRFZ48NL
仓库库存编号：
IRFZ48NL-ND
别名：*IRFZ48NL
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 40A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 100V 40A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
型号：
IRF5210L
仓库库存编号：
IRF5210L-ND
别名：*IRF5210L
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 55V 31A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） TO-262
型号：
IRF5305L
仓库库存编号：
IRF5305L-ND
别名：*IRF5305L
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 150V 13A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） TO-262
型号：
IRF6215L
仓库库存编号：
IRF6215L-ND
别名：*IRF6215L
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.8A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） TO-262
型号：
IRF9520NL
仓库库存编号：
IRF9520NL-ND
别名：*IRF9520NL
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 100V 14A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） TO-262
型号：
IRF9530NL
仓库库存编号：
IRF9530NL-ND
别名：*IRF9530NL
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 100V 23A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） TO-262
型号：
IRF9540NL
仓库库存编号：
IRF9540NL-ND
别名：*IRF9540NL
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 55V 12A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） TO-262
型号：
IRF9Z24NL
仓库库存编号：
IRF9Z24NL-ND
别名：*IRF9Z24NL
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 55V 19A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） TO-262
型号：
IRF9Z34NL
仓库库存编号：
IRF9Z34NL-ND
别名：*IRF9Z34NL
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 84A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1010ESTRR
仓库库存编号：
IRF1010ESTRR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 85A（Tc） 180W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1010NSTRL
仓库库存编号：
IRF1010NSTRL-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 85A（Tc） 180W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1010NSTRR
仓库库存编号：
IRF1010NSTRR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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