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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 33A(Tc) 57W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3303
仓库库存编号:
IRFU3303-ND
别名:*IRFU3303
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 55V 31A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU5305
仓库库存编号:
IRFU5305-ND
别名:*IRFU5305
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 55V 18A(Tc) 57W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU5505
仓库库存编号:
IRFU5505-ND
别名:*IRFU5505
SP001552454
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.6A(Tc) 40W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU9120N
仓库库存编号:
IRFU9120N-ND
别名:*IRFU9120N
SP001573590
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 29A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34NS
仓库库存编号:
IRFZ34NS-ND
别名:*IRFZ34NS
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 29A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34NSTRR
仓库库存编号:
IRFZ34NSTRR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 48A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44ESTRR
仓库库存编号:
IRFZ44ESTRR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 49A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 49A(Tc) 3.8W(Ta),94W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ44NL
仓库库存编号:
IRFZ44NL-ND
别名:*IRFZ44NL
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 53A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ46NS
仓库库存编号:
IRFZ46NS-ND
别名:*IRFZ46NS
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 64A(Tc) 3.8W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
94-2989
仓库库存编号:
94-2989-ND
别名:*IRFZ48NS
IRFZ48NS
IRFZ48NS-ND
SP001518334
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 64A(Tc) 3.8W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ48NSTRR
仓库库存编号:
IRFZ48NSTRR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 31A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF5305STRR
仓库库存编号:
IRF5305STRR-ND
别名:Q971401A
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 162A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
94-2110
仓库库存编号:
94-2110-ND
别名:*IRF1404S
IRF1404S
IRF1404S-ND
SP001521470
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 44A(Tc) 107W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU1205
仓库库存编号:
IRFU1205-ND
别名:*IRFU1205
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 16A(Tc) 79W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3910
仓库库存编号:
IRFU3910-ND
别名:*IRFU3910
SP001578418
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 27A(Tc) 68W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU4105
仓库库存编号:
IRFU4105-ND
别名:*IRFU4105
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 150V 13A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU6215
仓库库存编号:
IRFU6215-ND
别名:*IRFU6215
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU9024N
仓库库存编号:
IRFU9024N-ND
别名:*IRFU9024N
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 2.8A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL024N
仓库库存编号:
IRFL024N-ND
别名:*IRFL024N
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL1006
仓库库存编号:
IRFL1006-ND
别名:*IRFL1006
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 206A(Tc) 300W(Tc) SUPER-220?(TO-273AA)
型号:
IRFBA1404P
仓库库存编号:
IRFBA1404P-ND
别名:*IRFBA1404P
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 260A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) SUPER D2-PAK
型号:
IRFBL3703
仓库库存编号:
IRFBL3703-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 84A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 84A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
IRF1010EL
仓库库存编号:
IRF1010EL-ND
别名:*IRF1010EL
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 85A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 85A(Tc) 180W(Tc) TO-262
型号:
IRF1010NL
仓库库存编号:
IRF1010NL-ND
别名:*IRF1010NL
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 42A(Tc) 3.8W(Ta),160W(Tc) TO-262
型号:
IRF1310NL
仓库库存编号:
IRF1310NL-ND
别名:*IRF1310NL
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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