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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 9.5A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M010A080FH
仓库库存编号:
1560-1176-5-ND
别名:1560-1176-1
1560-1176-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 9.5A(Tc) 290W(Tc) TO-220
型号:
GP1M010A080H
仓库库存编号:
1560-1177-5-ND
别名:1560-1177-1
1560-1177-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 11A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 11A(Tc) 51.4W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M011A050FH
仓库库存编号:
1560-1178-5-ND
别名:1560-1178-1
1560-1178-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 11A(Tc) 158W(Tc) TO-220
型号:
GP1M011A050H
仓库库存编号:
1560-1179-5-ND
别名:1560-1179-1
1560-1179-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 231W(Tc) TO-220
型号:
GP1M012A060H
仓库库存编号:
1560-1180-5-ND
别名:1560-1180-1
1560-1180-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 13A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 13A(Tc) 183W(Tc) TO-220
型号:
GP1M013A050H
仓库库存编号:
1560-1181-5-ND
别名:1560-1181-1
1560-1181-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 14A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 14A(Tc) 53W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M015A050FH
仓库库存编号:
1560-1182-5-ND
别名:1560-1182-1
1560-1182-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M016A060F
仓库库存编号:
1560-1186-5-ND
别名:1560-1186-1
1560-1186-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 16A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 290W(Tc) TO-220
型号:
GP1M016A060H
仓库库存编号:
1560-1187-5-ND
别名:1560-1187-1
1560-1187-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP1M016A060N
仓库库存编号:
1560-1188-5-ND
别名:1560-1188-1
1560-1188-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 500V 23A(Tc) 347W(Tc) TO-3PN
型号:
GP1M023A050N
仓库库存编号:
1560-1192-5-ND
别名:1560-1192-1
1560-1192-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 7A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 7A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M007A080F
仓库库存编号:
1560-1203-5-ND
别名:1560-1203-1
1560-1203-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 100A
详细描述:通孔 N 沟道 40V 90A(Tc) 1.8W(Ta),147W(Tc) TO-220
型号:
N0439N-S19-AY
仓库库存编号:
N0439N-S19-AY-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 6.6A(Ta),51A(Tc) 2.5W(Ta),150W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB414_001
仓库库存编号:
AOB414_001-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 4.7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 4.7A(Ta),42A(Tc) 1.92W(Ta),150W(Tc) TO-220-3
型号:
AOT416L
仓库库存编号:
AOT416L-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 75V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 9A(Ta),127A(Tc) 1.9W(Ta),417W(Tc) TO-220-3
型号:
AOT474_002
仓库库存编号:
AOT474_002-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 16.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 16.7A(Tc) 3.75W(Ta), 88.2W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM25P10-138-E3
仓库库存编号:
SUM25P10-138-E3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 16.3A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 16.3A(Tc) 3.1W(Ta), 73.5W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP25P10-138-GE3
仓库库存编号:
SUP25P10-138-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Microsemi Corporation
P CHANNEL MOSFET
详细描述:通孔 P 沟道 100V 25A(Tc) 150W(Tc) TO-3
型号:
JAN2N6898
仓库库存编号:
JAN2N6898-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Microsemi Corporation
P CHANNEL MOSFET
详细描述:通孔 P 沟道 100V 25A(Tc) 150W(Tc) TO-3
型号:
JANTX2N6898
仓库库存编号:
JANTX2N6898-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Microsemi Corporation
P CHANNEL MOSFET
详细描述:通孔 P 沟道 100V 25A(Tc) 150W(Tc) TO-3
型号:
JANTXV2N6898
仓库库存编号:
JANTXV2N6898-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 21A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXTH)
型号:
IXTH21N50Q
仓库库存编号:
IXTH21N50Q-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
N-CHANNEL ADVANCE QFET C-SERIES
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4A(Tc) 2.5W(Ta) TO-252,(D-Pak)
型号:
FQD5N50CTM_WS
仓库库存编号:
FQD5N50CTM_WS-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 100A(Tc) 83W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM052N06PQ56 RLG
仓库库存编号:
TSM052N06PQ56 RLGTR-ND
别名:TSM052N06PQ56 RLGTR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 100A(Tc) 83W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM052N06PQ56 RLG
仓库库存编号:
TSM052N06PQ56 RLGCT-ND
别名:TSM052N06PQ56 RLGCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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