以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 2A（Tc） 30W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M003A040CG
  仓库库存编号：GP1M003A040CG-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 2A（Tc） 30W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M003A040PG
  仓库库存编号：GP1M003A040PG-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 52W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M003A050CG
  仓库库存编号：GP1M003A050CG-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 52.1W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M003A050HG
  仓库库存编号：GP1M003A050HG-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 52W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M003A050PG
  仓库库存编号：GP1M003A050PG-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3A（Tc） 94W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M003A080H
  仓库库存编号：GP1M003A080H-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3A（Tc） 94W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M003A080PH
  仓库库存编号：GP1M003A080PH-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 4A（Tc） 38.7W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M004A090FH
  仓库库存编号：GP1M004A090FH-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 900V 4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 4A（Tc） 123W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M004A090H
  仓库库存编号：GP1M004A090H-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3.4A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M005A040CG
  仓库库存编号：GP1M005A040CG-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 3.4A（Tc） 50W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M005A040PG
  仓库库存编号：GP1M005A040PG-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 92.5W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M005A050CH
  仓库库存编号：GP1M005A050CH-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 32W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M005A050FH
  仓库库存编号：GP1M005A050FH-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 92.5W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M005A050H
  仓库库存编号：GP1M005A050H-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 92.5W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M005A050PH
  仓库库存编号：GP1M005A050PH-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 5.5A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M006A065CH
  仓库库存编号：GP1M006A065CH-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 5.5A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M006A065F
  仓库库存编号：GP1M006A065F-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 5.5A（Tc） 120W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M006A065PH
  仓库库存编号：GP1M006A065PH-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 700V 5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 5A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M006A070F
  仓库库存编号：GP1M006A070F-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 8A（Tc） 40.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M008A080FH
  仓库库存编号：GP1M008A080FH-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8.5A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M009A050FSH
  仓库库存编号：GP1M009A050FSH-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8.5A（Tc） 127W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M009A050HS
  仓库库存编号：GP1M009A050HS-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9A（Tc） 51.4W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M009A060FH
  仓库库存编号：GP1M009A060FH-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 700V 9A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 9A（Tc） 52W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M009A070F
  仓库库存编号：GP1M009A070F-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 900V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 9A（Tc） 290W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M009A090H
  仓库库存编号：GP1M009A090H-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索