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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ24NPBF
仓库库存编号：
IRFZ24NPBF-ND
别名：*IRFZ24NPBF
SP001565128
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 31A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRFR5305TRL
仓库库存编号：
AUIRFR5305TRLCT-ND
别名：AUIRFR5305TRLCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 400mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9210PBF
仓库库存编号：
IRFD9210PBF-ND
别名：*IRFD9210PBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ44NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRFZ44NSTRLPBFCT-ND
别名：IRFZ44NSTRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 1A, 800mA 1.3W Surface Mount SM8
型号：
ZXMHC10A07T8TA
仓库库存编号：
ZXMHC10A07T8CT-ND
别名：ZXMHC10A07T8CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 43W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU220NPBF
仓库库存编号：
IRFU220NPBF-ND
别名：*IRFU220NPBF
SP001567710
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR120PBF
仓库库存编号：
IRFR120PBF-ND
别名：*IRFR120PBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） D-Pak
型号：
STD40NF10
仓库库存编号：
497-7969-1-ND
别名：497-7969-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 18A（Tc） 57W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU5505PBF
仓库库存编号：
IRFU5505PBF-ND
别名：*IRFU5505PBF
SP001557786
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU120PBF
仓库库存编号：
IRFU120PBF-ND
别名：*IRFU120PBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 9.3A（Tc） 82W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF630NPBF
仓库库存编号：
IRF630NPBF-ND
别名：*IRF630NPBF
SP001564792
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Tc） 72W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP10N20C
仓库库存编号：
FQP10N20C-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 51A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ44ZPBF
仓库库存编号：
IRFZ44ZPBF-ND
别名：*IRFZ44ZPBF
SP001578606
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3205STRLPBF
仓库库存编号：
IRF3205STRLPBFCT-ND
别名：IRF3205STRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3205ZSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF3205ZSTRLPBFCT-ND
别名：IRF3205ZSTRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 8.8A（Tc） 42W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP08P06PHXKSA1
仓库库存编号：
SPP08P06PHXKSA1-ND
别名：SP000446908
SPP08P06P G
SPP08P06P G-ND
SPP08P06P H
SPP08P06P H-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 70W（Tc） DPAK
型号：
STD9NM60N
仓库库存编号：
497-10959-1-ND
别名：497-10959-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 11A（Tc） 38W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU9024NPBF
仓库库存编号：
IRFU9024NPBF-ND
别名：*IRFU9024NPBF
SP001557756
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF530NPBF
仓库库存编号：
IRF530NPBF-ND
别名：*IRF530NPBF
SP001570120
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 45W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU024NPBF
仓库库存编号：
IRFU024NPBF-ND
别名：*IRFU024NPBF
SP001552404
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7.4A POWER56-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
型号：
FDMS3672
仓库库存编号：
FDMS3672CT-ND
别名：FDMS3672CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 3.8W（Ta），160W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1310NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF1310NSTRLPBFCT-ND
别名：IRF1310NSTRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Tc） 48W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF520NPBF
仓库库存编号：
IRF520NPBF-ND
别名：*IRF520NPBF
SP001571310
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 31A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU5305PBF
仓库库存编号：
IRFU5305PBF-ND
别名：*IRFU5305PBF
SP001550274
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
型号：
SI4434DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4434DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4434DY-T1-E3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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