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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V TO-205AF
详细描述：通孔 N 沟道 200V 3.5A（Tc） 800mW（Tc） TO-39
型号：
2N6790
仓库库存编号：
2N6790-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 18LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.8A（Tc） 800mW（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6790U
仓库库存编号：
2N6790U-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V TO-205AF TO-39
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
型号：
2N6798
仓库库存编号：
2N6798-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 18LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6798U
仓库库存编号：
2N6798U-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 400V TO-205AF TO-39
详细描述：通孔 N 沟道 400V 3A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
型号：
2N6800
仓库库存编号：
2N6800-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 400V 18LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6800U
仓库库存编号：
2N6800U-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V TO-205AF TO-39
详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
型号：
2N6802
仓库库存编号：
2N6802-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 18LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6802U
仓库库存编号：
2N6802U-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39
详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
型号：
2N6849
仓库库存编号：
2N6849-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18-LCC
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6849U
仓库库存编号：
2N6849U-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 38A TO-204AE
详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
2N6764T1
仓库库存编号：
2N6764T1-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 400V 14A TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Ta） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
2N6768T1
仓库库存编号：
2N6768T1-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 12A TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Ta） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
2N6770T1
仓库库存编号：
2N6770T1-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 341W（Tc） TO-263AB
型号：
FDB8132_F085
仓库库存编号：
FDB8132_F085CT-ND
别名：FDB8132_F085CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 800mA（Tc） 1W（Tc） 4-HVMDIP
型号：
IRFD113
仓库库存编号：
IRFD113-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 250V 450mA（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD213
仓库库存编号：
IRFD213-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 100V 1A（Ta） 4-HVMDIP
型号：
IRFD9123
仓库库存编号：
IRFD9123-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 29A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SIHB30N60E-E3
仓库库存编号：
SIHB30N60E-E3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 23A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 600V 23A（Tc） 227W（Tc） TO-247AD
型号：
SIHW23N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHW23N60E-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 650V 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247AD
型号：
SIHW47N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHW47N65E-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 9.9A（Ta），50A（Tc） 115W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD13AN06A0_F085
仓库库存编号：
FDD13AN06A0_F085-5-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 220A（Tc） 283W（Tc） D2PAK-3
型号：
NVB5860NT4G
仓库库存编号：
NVB5860NT4G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 136W（Tc） D2PAK-3
型号：
NVB6413ANT4G
仓库库存编号：
NVB6413ANT4G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 38A（Tc） 500W（Tc） SOT-227
型号：
VS-FA38SA50LCP
仓库库存编号：
VS-FA38SA50LCP-ND
别名：VSFA38SA50LCP
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 180A（Tc） 480W（Tc） SOT-227
型号：
VS-FB180SA10P
仓库库存编号：
VS-FB180SA10P-ND
别名：VSFB180SA10P
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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