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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 7A TO251
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 89W（Tc） TO-251-3
型号：
AOU7S65
仓库库存编号：
785-1523-5-ND
别名：AOU7S65-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 15A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 80V 15A（Ta），180A（Tc） 1.9W（Ta），333W（Tc） TO-262
型号：
AOW480
仓库库存编号：
AOW480-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 341W（Tc） TO-263AB
型号：
FDB8132
仓库库存编号：
FDB8132-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 254W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8160
仓库库存编号：
FDB8160-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 25A（Tc） 216W（Tc） I2PAK
型号：
FCI25N60N
仓库库存编号：
FCI25N60N-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 25A（Tc） 216W（Tc） TO-220
型号：
FCP25N60N
仓库库存编号：
FCP25N60N-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 263W（Tc） I2PAK
型号：
FDI045N10A
仓库库存编号：
FDI045N10A-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 263W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP045N10A
仓库库存编号：
FDP045N10A-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 150V 130A（Tc） 333W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP075N15A
仓库库存编号：
FDP075N15A-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 150V 83A（Tc） 294W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP083N15A
仓库库存编号：
FDP083N15A-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 96A（Tc） 188W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP085N10A
仓库库存编号：
FDP085N10A-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 50A（Tc） 91W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP150N10A
仓库库存编号：
FDP150N10A-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 375W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP5500
仓库库存编号：
FDP5500-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 220A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 220A（Tc） 283W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP5860NLG
仓库库存编号：
NTP5860NLG-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 17A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 17A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD17N25-165-E3
仓库库存编号：
SUD17N25-165-E3CT-ND
别名：SUD17N25-165-E3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ44STRRPBF
仓库库存编号：
IRFZ44STRRPBFCT-ND
别名：IRFZ44STRRPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 12A（Ta） 55W（Tj） DPAK-3
型号：
NTD2955PT4G
仓库库存编号：
NTD2955PT4GOSCT-ND
别名：NTD2955PT4GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAK
详细描述：通孔 N 沟道 4000V 300mA（Tc） 70W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
型号：
IXTF03N400
仓库库存编号：
IXTF03N400-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 40A（Tc） 3.75W（Ta），107W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP40N10-30-E3
仓库库存编号：
SUP40N10-30-E3-ND
别名：SUP40N10-30-E3CT
SUP40N10-30-E3CT-ND
SUP40N1030E3
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 1.8W（Ta），176W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
NP100N055PUK-E1-AY
仓库库存编号：
NP100N055PUK-E1-AY-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 110A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 110A（Tc） 1.8W（Ta），220W（Tc） TO-263-3
型号：
NP109N04PUG-E1-AY
仓库库存编号：
NP109N04PUG-E1-AY-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 110A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 110A（Tc） 1.8W（Ta），250W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
NP109N04PUK-E1-AY
仓库库存编号：
NP109N04PUK-E1-AY-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 110A（Tc） 1.8W（Ta），250W（Tc） TO-263
型号：
NP109N055PUK-E1-AY
仓库库存编号：
NP109N055PUK-E1-AY-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 110A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 110A（Tc） 1.8W（Ta），348W（Tc） TO-263-3
型号：
NP110N04PUK-E1-AY
仓库库存编号：
NP110N04PUK-E1-AY-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 110A（Tc） 1.8W（Ta），288W（Tc） TO-263
型号：
NP110N055PUG-E1-AY
仓库库存编号：
NP110N055PUG-E1-AY-ND
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