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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 220V 8.4A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7302DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7302DN-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 28A（Tc） 5.2W（Ta），83.3W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7457DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7457DP-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 28A（Tc） 5.2W（Ta），83.3W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7457DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7457DP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 22A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB22N60S-E3
  仓库库存编号：SIHB22N60S-E3TR-ND
  别名：SIHB22N60S-E3TR
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 28.4A（Tc） 5W（Ta），54W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR432DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR432DP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 5.9A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.9A（Ta），20A（Tc） 2.5W（Ta），56W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50N10-34P-T4-E3
  仓库库存编号：SUD50N10-34P-T4-E3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 80V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 80V 50A（Tc） 8.3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50P08-26-E3
  仓库库存编号：SUD50P08-26-E3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 38A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 38A（Tc） 8.3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50P10-43-E3
  仓库库存编号：SUD50P10-43-E3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 110A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM110N04-03-E3
  仓库库存编号：SUM110N04-03-E3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 80V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 80V 110A（Tc） 13.6W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM110P08-11-E3
  仓库库存编号：SUM110P08-11-E3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 38.5A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 38.5A（Tc） 3.1W（Ta），89W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP40N10-30-GE3
  仓库库存编号：SUP40N10-30-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 6A（Tc） 1.75W（Ta），50W（Tc） DPAK-3
  
  型号：MTD6N20ET5G
  仓库库存编号：MTD6N20ET5G-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 97A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 97A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP5863NG
  仓库库存编号：NTP5863NG-ND
  
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 110A（Ta） 1.8W（Ta），220W（Tc） TO-263
  
  型号：NP109N055PUJ-E1B-AY
  仓库库存编号：NP109N055PUJ-E1B-AY-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 110A（Tc） 1.8W（Ta），288W（Tc） TO-263
  
  型号：NP110N03PUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP110N03PUG-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 110A（Tc） 1.8W（Ta），288W（Tc） TO-263
  
  型号：NP110N04PUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP110N04PUG-E1-AY-ND
  
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  MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 1.8W（Ta），220W（Tc） TO-263-7
  
  型号：NP160N04TUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP160N04TUG-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 1.8W（Ta），250W（Tc） TO-263-7
  
  型号：NP160N04TUJ-E1-AY
  仓库库存编号：NP160N04TUJ-E1-AY-ND
  
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  MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 180A（Tc） 1.8W（Ta），288W（Tc） TO-263-7
  
  型号：NP180N04TUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP180N04TUG-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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  MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 180A（Tc） 1.8W（Ta），348W（Tc） TO-263-7
  
  型号：NP180N04TUJ-E1-AY
  仓库库存编号：NP180N04TUJ-E1-AY-ND
  
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  MOSFET N-CH 30V 55A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 55A（Tc） 1.2W（Ta），77W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP55N03SUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP55N03SUG-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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  MOSFET N-CH 30V 60A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 1.8W（Ta），88W（Tc） TO-263
  
  型号：NP60N03KUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP60N03KUG-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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  MOSFET N-CH 40V 60A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 1.8W（Ta），88W（Tc） TO-263
  
  型号：NP60N04KUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP60N04KUG-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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  MOSFET N-CH 40V 60A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 60A（Tc） 1.8W（Ta），88W（Tc） TO-220
  
  型号：NP60N04MUG-S18-AY
  仓库库存编号：NP60N04MUG-S18-AY-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 60A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 60A（Tc） 1.8W（Ta），88W（Tc） TO-263
  
  型号：NP60N055KUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP60N055KUG-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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