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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 54A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 10A（Ta），54A（Tc） 3.1W（Ta），150W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD4180
仓库库存编号：
785-1219-1-ND
别名：785-1219-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 9A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9A（Ta），52A（Tc） 2.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6450
仓库库存编号：
785-1230-1-ND
别名：785-1230-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5A（Tc） 2.1W（Ta），40W（Tc） DPAK-3
型号：
MTD5P06VT4GV
仓库库存编号：
MTD5P06VT4GV-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 43A（Tc） 71W（Tc） DPAK-3
型号：
NTD5865N-1G
仓库库存编号：
NTD5865N-1GOS-ND
别名：NTD5865N-1G-ND
NTD5865N-1GOS
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4
详细描述：通孔 N 沟道 4000V 1A（Tc） 160W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
型号：
IXTF1N400
仓库库存编号：
IXTF1N400-ND
别名：Q5597315
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 77A（Tc） 217W（Tc） D2PAK
型号：
NTB6411ANT4G
仓库库存编号：
NTB6411ANT4GOSCT-ND
别名：NTB6411ANT4GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 167W（Tc） D2PAK
型号：
NTB6412ANT4G
仓库库存编号：
NTB6412ANT4GOSCT-ND
别名：NTB6412ANT4GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 43A（Tc） 71W（Tc） DPAK
型号：
NTD5865NT4G
仓库库存编号：
NTD5865NT4GOSCT-ND
别名：NTD5865NT4GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 23A（Tc） 83W（Tc） DPAK
型号：
NTD6415ANT4G
仓库库存编号：
NTD6415ANT4GOSCT-ND
别名：NTD6415ANT4GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 950mA（Tc） 2W（Ta），3.2W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3475DV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3475DV-T1-GE3CT-ND
别名：SI3475DV-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 1.3A（Tc） 2.2W（Ta），4.6W（Tc） 8-SO
型号：
SI4409DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4409DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4409DY-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.3A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4418DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4418DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4418DY-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 2.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? ChipFet Dual
型号：
SI5980DU-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5980DU-T1-GE3CT-ND
别名：SI5980DU-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7462DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7462DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7462DP-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SI7946DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7946DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7946DP-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 35A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR838DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR838DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR838DP-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 98A（Tc） 115W（Tc） DPAK-3
型号：
NTD5862N-1G
仓库库存编号：
NTD5862N-1G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 200V 19A（Tc） 43W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
型号：
FQPF19N20CYDTU
仓库库存编号：
FQPF19N20CYDTU-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A HEXDIP
详细描述：通孔 P 沟道 100V 1A（Ta） 4-HVMDIP
型号：
IRFD9123PBF
仓库库存编号：
IRFD9123PBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 36W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR1N60ATRRPBF
仓库库存编号：
IRFR1N60ATRRPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 400V 1.8A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9310TRRPBF
仓库库存编号：
IRFR9310TRRPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 3.8A（Tc） 2.4W（Ta），4.8W（Tc） 8-SO
型号：
SI4102DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4102DY-T1-E3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 1.3A（Tc） 2.2W（Ta），4.6W（Tc） 8-SO
型号：
SI4409DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4409DY-T1-E3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 1.15A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO
型号：
SI4462DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4462DY-T1-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7138DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7138DP-T1-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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