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IXYS
MOSFET N-CH 85V 152A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 85V 152A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ152N085T
仓库库存编号：
IXTQ152N085T-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 160A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 75V 160A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ160N075T
仓库库存编号：
IXTQ160N075T-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 180A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 85V 180A（Tc） 430W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ180N085T
仓库库存编号：
IXTQ180N085T-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 182A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 55V 182A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ182N055T
仓库库存编号：
IXTQ182N055T-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 200A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 75V 200A（Tc） 430W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ200N075T
仓库库存编号：
IXTQ200N075T-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 200A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 85V 200A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ200N085T
仓库库存编号：
IXTQ200N085T-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 220A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 55V 220A（Tc） 430W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ220N055T
仓库库存编号：
IXTQ220N055T-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 220A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 75V 220A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ220N075T
仓库库存编号：
IXTQ220N075T-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 230A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 85V 230A（Tc） 550W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ230N085T
仓库库存编号：
IXTQ230N085T-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 240A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 55V 240A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ240N055T
仓库库存编号：
IXTQ240N055T-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 250A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 75V 250A（Tc） 550W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ250N075T
仓库库存编号：
IXTQ250N075T-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 280A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 55V 280A（Tc） 550W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ280N055T
仓库库存编号：
IXTQ280N055T-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 85V 230A（Tc） 550W（Tc） PLUS220
型号：
IXTV230N085T
仓库库存编号：
IXTV230N085T-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 230A（Tc） 550W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXTV230N085TS
仓库库存编号：
IXTV230N085TS-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 250A（Tc） 550W（Tc） PLUS220
型号：
IXTV250N075T
仓库库存编号：
IXTV250N075T-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 250A（Tc） 550W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXTV250N075TS
仓库库存编号：
IXTV250N075TS-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 280A（Tc） 550W（Tc） PLUS220
型号：
IXTV280N055T
仓库库存编号：
IXTV280N055T-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 280A（Tc） 550W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXTV280N055TS
仓库库存编号：
IXTV280N055TS-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 950mA（Tc） 2W（Ta），3.2W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3475DV-T1-E3
仓库库存编号：
SI3475DV-T1-E3CT-ND
别名：SI3475DV-T1-E3CT
SI3475DVT1E3
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.3A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4418DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4418DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4418DY-T1-E3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 1.15A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO
型号：
SI4462DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4462DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4462DY-T1-E3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7138DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7138DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7138DP-T1-E3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7462DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7462DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7462DP-T1-E3CT
SI7462DPT1E3
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SI7946DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7946DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7946DP-T1-E3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 26A（Ta），80A（Tc） 300W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
FDI8441
仓库库存编号：
FDI8441-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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