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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.6A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF510STRL
仓库库存编号:
IRF510STRL-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.6A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF510STRR
仓库库存编号:
IRF510STRR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.2A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520S
仓库库存编号:
IRF520S-ND
别名:*IRF520S
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.2A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520STRL
仓库库存编号:
IRF520STRL-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.2A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520STRR
仓库库存编号:
IRF520STRR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 14A(Tc) TO-262
型号:
IRF530L
仓库库存编号:
IRF530L-ND
别名:*IRF530L
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 14A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF530STRL
仓库库存编号:
IRF530STRL-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 28A(Tc) TO-262
型号:
IRF540L
仓库库存编号:
IRF540L-ND
别名:*IRF540L
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) TO-262
型号:
IRF610L
仓库库存编号:
IRF610L-ND
别名:*IRF610L
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF610STRL
仓库库存编号:
IRF610STRL-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF610STRR
仓库库存编号:
IRF610STRR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 250V 2.7A(Tc) TO-262
型号:
IRF614L
仓库库存编号:
IRF614L-ND
别名:*IRF614L
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 2.7A(Tc) 3.1W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF614STRL
仓库库存编号:
IRF614STRL-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 2.7A(Tc) 3.1W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF614STRR
仓库库存编号:
IRF614STRR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.2A(Tc) I2PAK
型号:
IRF620L
仓库库存编号:
IRF620L-ND
别名:*IRF620L
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5.2A(Tc) 3W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF620STRL
仓库库存编号:
IRF620STRL-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5.2A(Tc) 3W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF620STRR
仓库库存编号:
IRF620STRR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 250V 4.4A(Tc) I2PAK
型号:
IRF624L
仓库库存编号:
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别名:*IRF624L
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MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 4.4A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF624STRL
仓库库存编号:
IRF624STRL-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 4.4A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF624STRR
仓库库存编号:
IRF624STRR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) I2PAK
型号:
IRF630L
仓库库存编号:
IRF630L-ND
别名:*IRF630L
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
IRF630STRL
仓库库存编号:
IRF630STRL-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
IRF630STRR
仓库库存编号:
IRF630STRR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8.1A(Tc) I2PAK
型号:
IRF634L
仓库库存编号:
IRF634L-ND
别名:*IRF634L
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 8.1A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF634STRL
仓库库存编号:
IRF634STRL-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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