规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(5033)
分立半导体产品
(5033)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(71)
Central Semiconductor Corp(12)
Diodes Incorporated(92)
Exar Corporation(1)
Fairchild/Micross Components(991)
Fairchild/ON Semiconductor(244)
Global Power Technologies Group(63)
Infineon Technologies(807)
IXYS(225)
Microsemi Corporation(130)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(39)
Nexperia USA Inc.(2)
NXP USA Inc.(1)
ON Semiconductor(54)
Renesas Electronics America(63)
Sanken(2)
STMicroelectronics(784)
Taiwan Semiconductor Corporation(168)
Vishay BC Components(75)
Vishay Beyschlag(627)
Vishay Electro-Films(256)
Vishay Huntington Electric Inc.(92)
Vishay Semiconductor Diodes Division(48)
Vishay Semiconductor Opto Division(11)
Vishay Sfernice(25)
Vishay Siliconix(127)
Vishay Spectrol(6)
Vishay Sprague(10)
Vishay Thin Film(4)
Vishay Vitramon(3)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 800V 4.1A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPE30
仓库库存编号：
IRFPE30-ND
别名：*IRFPE30
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 800V 7.8A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPE50
仓库库存编号：
IRFPE50-ND
别名：*IRFPE50
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPF30
仓库库存编号：
IRFPF30-ND
别名：*IRFPF30
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 3.1A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPG30
仓库库存编号：
IRFPG30-ND
别名：*IRFPG30
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 6.1A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPG50
仓库库存编号：
IRFPG50-ND
别名：*IRFPG50
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 12A TO-247AC
详细描述：通孔 P 沟道 200V 12A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP9240
仓库库存编号：
IRFP9240-ND
别名：*IRFP9240
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 800V 1.8A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBE20
仓库库存编号：
IRFBE20-ND
别名：*IRFBE20
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 800V 4.1A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBE30
仓库库存编号：
IRFBE30-ND
别名：*IRFBE30
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBF20
仓库库存编号：
IRFBF20-ND
别名：*IRFBF20
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 1.4A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBG20
仓库库存编号：
IRFBG20-ND
别名：*IRFBG20
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 3.1A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBG30
仓库库存编号：
IRFBG30-ND
别名：*IRFBG30
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 2.7A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF614S
仓库库存编号：
IRF614S-ND
别名：*IRF614S
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 4.4A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF624S
仓库库存编号：
IRF624S-ND
别名：*IRF624S
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 8.1A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF634S
仓库库存编号：
IRF634S-ND
别名：*IRF634S
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF644S
仓库库存编号：
IRF644S-ND
别名：*IRF644S
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 2A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF710S
仓库库存编号：
IRF710S-ND
别名：*IRF710S
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3.3A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF720S
仓库库存编号：
IRF720S-ND
别名：*IRF720S
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF730S
仓库库存编号：
IRF730S-ND
别名：*IRF730S
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 10A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF740S
仓库库存编号：
IRF740S-ND
别名：*IRF740S
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF820S
仓库库存编号：
IRF820S-ND
别名：*IRF820S
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF830S
仓库库存编号：
IRF830S-ND
别名：*IRF830S
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF840S
仓库库存编号：
IRF840S-ND
别名：*IRF840S
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247AD
型号：
IRFP450
仓库库存编号：
IRFP450X-ND
别名：IRFP450X
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 15A（Tc） 50W（Tc） TO-220
型号：
NDP4060
仓库库存编号：
NDP4060-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 50V 75A（Tc） 150W（Tc） TO-220
型号：
NDP7050
仓库库存编号：
NDP7050-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
搜索
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
