规格：FET 功能 耗尽模式,
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 16-PDIP
型号：
ALD114804PCL
仓库库存编号：
1014-1055-ND
别名：1014-1055
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
搜索
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Surface Mount 16-SOIC
型号：
ALD114804SCL
仓库库存编号：
1014-1056-ND
别名：1014-1056
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
搜索
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 16-PDIP
型号：
ALD114813PCL
仓库库存编号：
1014-1057-ND
别名：1014-1057
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
搜索
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 16-PDIP
型号：
ALD114835PCL
仓库库存编号：
1014-1059-ND
别名：1014-1059
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Surface Mount 16-SOIC
型号：
ALD114804ASCL
仓库库存编号：
1014-1054-ND
别名：1014-1054
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 1.1W（Ta），25W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP02N50D
仓库库存编号：
IXTP02N50D-ND
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 16A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 100V 16A（Tc） 830W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH16N10D2
仓库库存编号：
IXTH16N10D2-ND
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 16A（Tc） 695W（Tc） TO-268
型号：
IXTT16N50D2
仓库库存编号：
IXTT16N50D2-ND
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 16A（Tc） 695W（Tc） TO-247-3
型号：
IXTH16N50D2
仓库库存编号：
IXTH16N50D2-ND
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 1700V 1A（Tc） 290W（Tc） TO-263
型号：
IXTA1N170DHV
仓库库存编号：
IXTA1N170DHV-ND
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 16A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 16A（Tc） 830W（Tc） TO-268
型号：
IXTT16N10D2
仓库库存编号：
IXTT16N10D2-ND
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 10A（Tc） 695W（Tc） TO-247
型号：
IXTH10N100D2
仓库库存编号：
IXTH10N100D2-ND
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 10A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH10N100D
仓库库存编号：
IXTH10N100D-ND
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267
详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 10A（Tc） 695W（Tc） TO-268
型号：
IXTT10N100D2
仓库库存编号：
IXTT10N100D2-ND
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 10A（Tc） 400W（Tc） TO-268
型号：
IXTT10N100D
仓库库存编号：
IXTT10N100D-ND
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1700V 2A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1700V 2A（Tj） 568W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH2N170D2
仓库库存编号：
IXTH2N170D2-ND
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 20A（Tc） 400W（Tc） TO-268
型号：
IXTT20N50D
仓库库存编号：
IXTT20N50D-ND
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 100mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-223
型号：
BSS139H6906XTSA1
仓库库存编号：
BSS139H6906XTSA1-ND
别名：SP000702612
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS169H6906XTSA1
仓库库存编号：
BSS169H6906XTSA1-ND
别名：SP000702582
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP129H6906XTSA1
仓库库存编号：
BSP129H6906XTSA1-ND
别名：SP001058586
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 210mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP179H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP179H6327XTSA1-ND
别名：SP001212770
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） SOT-223
型号：
BSP135H6433XTMA1
仓库库存编号：
BSP135H6433XTMA1-ND
别名：SP001058592
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP135H6906XTSA1
仓库库存编号：
BSP135H6906XTSA1-ND
别名：SP001058594
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 60V SOT89
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.1W（Ta） SOT-89
型号：
CPC3701C
仓库库存编号：
CPC3701C-ND
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 250V SOT89
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 1.4W（Ta） SOT-89
型号：
CPC3710C
仓库库存编号：
CPC3710C-ND
规格：FET 功能 耗尽模式,
无铅
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