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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 70A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB052N04NGATMA1
仓库库存编号：
IPB052N04NGATMA1CT-ND
别名：IPB052N04N GCT
IPB052N04N GCT-ND
IPB052N04NG
规格：FET 功能 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 130A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB065N15N3GE8187ATMA1
仓库库存编号：
IPB065N15N3GE8187ATMA1CT-ND
别名：IPB065N15N3 G E8187CT
IPB065N15N3 G E8187CT-ND
IPB065N15N3GE8187
规格：FET 功能 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB072N15N3GE8187ATMA1
仓库库存编号：
IPB072N15N3GE8187ATMA1CT-ND
别名：IPB072N15N3 G E8187CT
IPB072N15N3 G E8187CT-ND
IPB072N15N3GE8187
规格：FET 功能 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB075N04LGATMA1
仓库库存编号：
IPB075N04LGATMA1CT-ND
别名：IPB075N04L GCT
IPB075N04L GCT-ND
IPB075N04LG
规格：FET 功能 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB093N04LGATMA1
仓库库存编号：
IPB093N04LGATMA1CT-ND
别名：IPB093N04L GCT
IPB093N04L GCT-ND
IPB093N04LG
规格：FET 功能 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB097N08N3 G
仓库库存编号：
IPB097N08N3 GCT-ND
别名：IPB097N08N3 GCT
规格：FET 功能 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB136N08N3 G
仓库库存编号：
IPB136N08N3 GCT-ND
别名：IPB136N08N3 GCT
规格：FET 功能 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB230N06L3GATMA1
仓库库存编号：
IPB230N06L3GATMA1CT-ND
别名：IPB230N06L3 GCT
IPB230N06L3 GCT-ND
IPB230N06L3G
规格：FET 功能 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 27A（Tc） 36W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB260N06N3GATMA1
仓库库存编号：
IPB260N06N3GATMA1CT-ND
别名：IPB260N06N3 GCT
IPB260N06N3 GCT-ND
IPB260N06N3G
规格：FET 功能 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 66W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB60R520CPATMA1
仓库库存编号：
IPB60R520CPATMA1CT-ND
别名：IPB60R520CPCT
IPB60R520CPCT-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD038N04NGBTMA1
仓库库存编号：
IPD038N04NGBTMA1CT-ND
别名：IPD038N04N GCT
IPD038N04N GCT-ND
IPD038N04NG
规格：FET 功能 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD053N06N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD053N06N3GBTMA1CT-ND
别名：IPD053N06N3 GCT
IPD053N06N3 GCT-ND
IPD053N06N3G
规格：FET 功能 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD068P03L3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD068P03L3GBTMA1CT-ND
别名：IPD068P03L3 GCT
IPD068P03L3 GCT-ND
IPD068P03L3GBTMA1CT
规格：FET 功能 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 59A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD122N10N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD122N10N3GBTMA1CT-ND
别名：IPD122N10N3 GCT
IPD122N10N3 GCT-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD180N10N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD180N10N3GBTMA1CT-ND
别名：IPD180N10N3 GCT
IPD180N10N3 GCT-ND
IPD180N10N3GBTMA1CT
规格：FET 功能 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 28A（Tc） 36W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD250N06N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD250N06N3GBTMA1CT-ND
别名：IPD250N06N3 GCT
IPD250N06N3 GCT-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD530N15N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD530N15N3GBTMA1CT-ND
别名：IPD530N15N3 GCT
IPD530N15N3 GCT-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 8.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R520C6BTMA1
仓库库存编号：
IPD60R520C6BTMA1CT-ND
别名：IPD60R520C6BTMA1CT
IPD60R520C6CT
IPD60R520C6CT-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R520CPBTMA1
仓库库存编号：
IPD60R520CPBTMA1CT-ND
别名：IPD60R520CPCT
IPD60R520CPCT-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R600CPBTMA1
仓库库存编号：
IPD60R600CPBTMA1CT-ND
别名：IPD60R600CPCT
IPD60R600CPCT-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30N03S2L20GBTMA1
仓库库存编号：
SPD30N03S2L20GBTMA1CT-ND
别名：SPD30N03S2L-20 GCT
SPD30N03S2L-20 GCT-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD50N03S207GBTMA1
仓库库存编号：
SPD50N03S207GBTMA1CT-ND
别名：SPD50N03S2-07 GCT
SPD50N03S2-07 GCT-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 39A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB012N03LX3 G
仓库库存编号：
BSB012N03LX3 GCT-ND
别名：BSB012N03LX3 GCT
规格：FET 功能 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 37A（Ta），170A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB012NE2LX
仓库库存编号：
BSB012NE2LXCT-ND
别名：BSB012NE2LXCT
规格：FET 功能 -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Ta），147A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB017N03LX3 G
仓库库存编号：
BSB017N03LX3 GCT-ND
别名：BSB017N03LX3 GCT
规格：FET 功能 -,
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