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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V SC-73
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 900mA(Ta) 800mW(Ta),6.2W(Tc) SOT-223
型号:
PMT760EN,135
仓库库存编号:
568-10829-1-ND
别名:568-10829-1
规格:FET 功能 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1A TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1A(Ta) 325mW(Ta),1.14W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV170UN,215
仓库库存编号:
568-10830-1-ND
别名:568-10830-1
规格:FET 功能 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.1A(Ta) 325mW(Ta),1.275W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV185XN,215
仓库库存编号:
568-10831-1-ND
别名:568-10831-1
规格:FET 功能 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.3A(Ta) 380mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV28UN,215
仓库库存编号:
568-10832-1-ND
别名:568-10832-1
规格:FET 功能 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.2A(Ta) 380mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV30XN,215
仓库库存编号:
568-10833-1-ND
别名:568-10833-1
规格:FET 功能 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 3.1A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.1A(Ta) 380mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV37EN,215
仓库库存编号:
568-10835-1-ND
别名:568-10835-1
规格:FET 功能 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 2A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 2.2A(Ta) 310mW(Ta),2.17W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV65UN,215
仓库库存编号:
568-10837-1-ND
别名:568-10837-1
规格:FET 功能 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.9A(Ta) 310mW(Ta), 2.09W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV90EN,215
仓库库存编号:
568-10838-1-ND
别名:568-10838-1
规格:FET 功能 -,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 3DFN
详细描述:MOSFET 3DFN
型号:
PMZ290UNYL
仓库库存编号:
568-10839-1-ND
别名:568-10839-1
PMZ290UN,315
规格:FET 功能 -,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1A(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) 3-DFN1006B(0.6x1)
型号:
PMZB300XN,315
仓库库存编号:
568-10841-1-ND
别名:568-10841-1
规格:FET 功能 -,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 930mA(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) 3-DFN1006B(0.6x1)
型号:
PMZB380XN,315
仓库库存编号:
568-10843-1-ND
别名:568-10843-1
规格:FET 功能 -,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 900mA(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) 3-DFN1006B(0.6x1)
型号:
PMZB420UN,315
仓库库存编号:
568-10844-1-ND
别名:568-10844-1
规格:FET 功能 -,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V SGL 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 650mA(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) 3-DFN1006B(0.6x1)
型号:
PMZB790SN,315
仓库库存编号:
568-10846-1-ND
别名:568-10846-1
规格:FET 功能 -,
无铅
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EPC
TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 4.4A(Ta) 模具
型号:
EPC8004ENGR
仓库库存编号:
917-EPC8004ENGR-ND
别名:917-EPC8004ENGR
EPC8004ENGA
规格:FET 功能 -,
无铅
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EPC
TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 65V 4.1A(Ta) 模具
型号:
EPC8009ENGR
仓库库存编号:
917-EPC8009ENGR-ND
别名:917-EPC8009ENGR
EPC8009ENGG
规格:FET 功能 -,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.2A(Ta) 400mW(Ta),8.33W(Tc) DFN1010D-3
型号:
PMXB56EN
仓库库存编号:
1727-1477-1-ND
别名:1727-1477-1
568-10948-1
568-10948-1-ND
规格:FET 功能 -,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.3A(Ta) 800mW(Ta) 3-MPAK
型号:
RQJ0303PGDQA#H6
仓库库存编号:
RQJ0303PGDQA#H6-ND
规格:FET 功能 -,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 341W(Tc) TO-263AB
型号:
FDB8132_F085
仓库库存编号:
FDB8132_F085CT-ND
别名:FDB8132_F085CT
规格:FET 功能 -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 5W(Ta),54W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR646DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR646DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR646DP-T1-GE3CT
规格:FET 功能 -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 42.5A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 42.5A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4038DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4038DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4038DY-T1-GE3CT
规格:FET 功能 -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 60V 990mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
2N6660-2
仓库库存编号:
2N6660-2-ND
规格:FET 功能 -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 990MA TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 60V 990mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
2N6660-E3
仓库库存编号:
2N6660-E3-ND
规格:FET 功能 -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 60V 990mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
2N6660JTVP02
仓库库存编号:
2N6660JTVP02-ND
规格:FET 功能 -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 60V 990mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
2N6660JTX02
仓库库存编号:
2N6660JTX02-ND
规格:FET 功能 -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 60V 990mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
2N6660JTXL02
仓库库存编号:
2N6660JTXL02-ND
规格:FET 功能 -,
含铅
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