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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 317A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 317A（Tc） 1136W（Tc） SP6
型号：
APTM20SKM05G
仓库库存编号：
APTM20SKM05G-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 71A（Tc） 300W（Tc） SOT-227
型号：
APT50MC120JCU2
仓库库存编号：
APT50MC120JCU2-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 495A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM10DAM02G
仓库库存编号：
APTM10DAM02G-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 495A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM10SKM02G
仓库库存编号：
APTM10SKM02G-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 180A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 180A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM50DAM17G
仓库库存编号：
APTM50DAM17G-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 180A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 180A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM50SKM17G
仓库库存编号：
APTM50SKM17G-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 372A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 372A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM20DAM04G
仓库库存编号：
APTM20DAM04G-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 78A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM100DAM90G
仓库库存编号：
APTM100DAM90G-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 78A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM100SKM90G
仓库库存编号：
APTM100SKM90G-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 570A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 570A（Tc） 1660W（Tc） SP6
型号：
APTM10UM02FAG
仓库库存编号：
APTM10UM02FAG-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 417A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 417A（Tc） 1560W（Tc） SP6
型号：
APTM20UM04SAG
仓库库存编号：
APTM20UM04SAG-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 590A（Tc） 2200W（Tc） Y3-DCB
型号：
VMO550-01F
仓库库存编号：
VMO550-01F-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 145A（Tc） 3250W（Tc） SP6
型号：
APTM100UM65DAG
仓库库存编号：
APTM100UM65DAG-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 335A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 335A（Tc） 3290W（Tc） SP6
型号：
APTM50UM13SAG
仓库库存编号：
APTM50UM13SAG-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 116A（Tc） 3290W（Tc） SP6
型号：
APTM120U10SAG
仓库库存编号：
APTM120U10SAG-ND
别名：APTM120U10SAGMI
APTM120U10SAGMI-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 1.7KV 100A
详细描述：通孔 1700V 100A（Tc） 583W（Tc） TO-247
型号：
GA50JT17-247
仓库库存编号：
1242-1247-ND
别名：1242-1247
规格：FET 功能 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 690A MODULE
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 690A（Tc） 2500W（Tc） Y3-DCB
型号：
VMO650-01F
仓库库存编号：
VMO650-01F-ND
别名：Q1434129
VM0650-01F
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 129A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 129A（Tc） 2272W（Tc） SP6
型号：
APTM100UM60FAG
仓库库存编号：
APTM100UM60FAG-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 650V 4A TO276
详细描述：表面贴装 650V 4A（Tc）（165°C） 125W（Tc） TO-276
型号：
2N7636-GA
仓库库存编号：
1242-1147-ND
别名：1242-1147
规格：FET 功能 -,
含铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 650V 4A TO-257
详细描述：通孔 650V 4A（Tc）（165°C） 47W（Tc） TO-257
型号：
2N7635-GA
仓库库存编号：
1242-1146-ND
别名：1242-1146
规格：FET 功能 -,
含铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 650V 8A TO276
详细描述：表面贴装 650V 8A（Tc）（158°C） 200W（Tc） TO-276
型号：
2N7638-GA
仓库库存编号：
1242-1149-ND
别名：1242-1149
规格：FET 功能 -,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 171A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 171A（Tc） 5000W（Tc） SP6
型号：
APTM120UM70DAG
仓库库存编号：
APTM120UM70DAG-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 650V 7A TO-257
详细描述：通孔 650V 7A（Tc）（165°C） 80W（Tc） TO-257
型号：
2N7637-GA
仓库库存编号：
1242-1148-ND
别名：1242-1148
规格：FET 功能 -,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 497A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 497A（Tc） 5000W（Tc） SP6
型号：
APTM50UM09FAG
仓库库存编号：
APTM50UM09FAG-ND
别名：APTM50UM09FAGMI
APTM50UM09FAGMI-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 116A（Tc） 3290W（Tc） SP6
型号：
APTM120U10SCAVG
仓库库存编号：
APTM120U10SCAVG-ND
规格：FET 功能 -,
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