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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 154A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 154A（Tc） 480W（Tc） SP1
型号：
APTML10UM09R004T1AG
仓库库存编号：
APTML10UM09R004T1AG-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 1200V 80A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
型号：
APT80SM120S
仓库库存编号：
APT80SM120S-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 44A（Tc） 450W（Tc） SOT-227
型号：
APT5010JVRU3
仓库库存编号：
APT5010JVRU3-ND
别名：APT5010JVRU3MI
APT5010JVRU3MI-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 71A（Tc） 595W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT50M50JLL
仓库库存编号：
APT50M50JLL-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 30A（Tc） ISOPLUS264?
型号：
IXFB30N120Q2
仓库库存编号：
IXFB30N120Q2-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 500V 58A（Tc） 730W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APL502B2G
仓库库存编号：
APL502B2G-ND
别名：APL502B2GMI
APL502B2GMI-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD
详细描述：表面贴装 N 沟道 1100V 24A（Tc） 500W（Tc） SMPD
型号：
MMIX1F40N110P
仓库库存编号：
MMIX1F40N110P-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 11A TO-204AA
详细描述：通孔 P 沟道 100V 11A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA
型号：
JANTX2N6804
仓库库存编号：
1088-1031-ND
别名：1088-1031
1088-1031-MIL
规格：FET 功能 -,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 34A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN34N100
仓库库存编号：
IXFN34N100-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 600V 49A（Tc） 730W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APL602B2G
仓库库存编号：
APL602B2G-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 30A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN30N120P
仓库库存编号：
IXFN30N120P-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 33A（Tc） 960W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT32F120J
仓库库存编号：
APT32F120J-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1100V 34A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN40N110P
仓库库存编号：
IXFN40N110P-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 800W（Tc） PLUS264?
型号：
IXTB30N100L
仓库库存编号：
IXTB30N100L-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 49A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 600V 49A（Tc） 730W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APL602LG
仓库库存编号：
APL602LG-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 33A ISOPLUS227
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 33A（Tc） 580W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFE36N100
仓库库存编号：
IXFE36N100-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 84A（Tc） 960W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT80M60J
仓库库存编号：
APT80M60J-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1100V 36A（Tc） 1000W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN36N110P
仓库库存编号：
IXFN36N110P-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS227
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 34A（Tc） 580W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFE39N90
仓库库存编号：
IXFE39N90-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 45A（Tc） 960W（Tc） SOT-227
型号：
APT45M100J
仓库库存编号：
APT45M100J-ND
别名：APT45M100JMI
APT45M100JMI-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 39A（Tc） 694W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN39N90
仓库库存编号：
IXFN39N90-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 62A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 62A（Tc） 800W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN62N50L
仓库库存编号：
IXTN62N50L-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 32A（Tc） 1000W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN32N120P
仓库库存编号：
IXFN32N120P-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 84A（Tc） 961W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT80F60J
仓库库存编号：
APT80F60J-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B
详细描述：底座安装 N 沟道 2500V 5A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN5N250
仓库库存编号：
IXTN5N250-ND
规格：FET 功能 -,
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