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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT58F50J
仓库库存编号：
APT58F50J-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 30A（Tc） 1250W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB30N120P
仓库库存编号：
IXFB30N120P-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT58M50J
仓库库存编号：
APT58M50J-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 600V 37A（Tc） 360W（Tc） ISOPLUS264?
型号：
IXFL70N60Q2
仓库库存编号：
IXFL70N60Q2-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 20A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
型号：
APT20M120JCU2
仓库库存编号：
APT20M120JCU2-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 20A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
型号：
APT20M120JCU3
仓库库存编号：
APT20M120JCU3-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 28A（Tc） 690W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT10035B2FLLG
仓库库存编号：
APT10035B2FLLG-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 24A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN24N90Q
仓库库存编号：
IXFN24N90Q-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 300V 138A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN170N30P
仓库库存编号：
IXFN170N30P-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 295A（Tc） 1070W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN300N10P
仓库库存编号：
IXFN300N10P-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 22A（Tc） 690W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT12057LFLLG
仓库库存编号：
APT12057LFLLG-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 32A（Tc） 520AW（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN32N60
仓库库存编号：
IXFN32N60-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 21A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN21N100
仓库库存编号：
IXTN21N100-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 41A（Tc） 400W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFE48N50QD2
仓库库存编号：
IXFE48N50QD2-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 41A（Tc） 400W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFE48N50QD3
仓库库存编号：
IXFE48N50QD3-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 800V 50A（Tc） 1135W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB50N80Q2
仓库库存编号：
IXFB50N80Q2-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 50A（Tc） ISOPLUS-SMPD?.B
型号：
MKE38P600LB-TRR
仓库库存编号：
MKE38P600LB-TRR-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 1100V 40A（Tc） 1250W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB40N110P
仓库库存编号：
IXFB40N110P-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 800V 38A（Tc） 694W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT8020B2LLG
仓库库存编号：
APT8020B2LLG-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX
详细描述：通孔 N 沟道 600V 65A（Tc） 833W（Tc） 264 MAX? [L2]
型号：
APT60M80L2VRG
仓库库存编号：
APT60M80L2VRG-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 39A（Tc） 400W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFE44N50QD2
仓库库存编号：
IXFE44N50QD2-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 39A（Tc） 400W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFE44N50QD3
仓库库存编号：
IXFE44N50QD3-ND
规格：FET 功能 -,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 800V 31A（Tc） 543W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT29F80J
仓库库存编号：
APT29F80J-ND
规格：FET 功能 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 18A（Tc） 357W（Tc） ISOPLUSi5-Pak?
型号：
IXFL30N120P
仓库库存编号：
IXFL30N120P-ND
规格：FET 功能 -,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 220A（Tc） 789W（Tc） SOT-227
型号：
VS-FC220SA20
仓库库存编号：
VS-FC220SA20-ND
别名：VSFC220SA20
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