规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 12A 3W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号：
NVMFD5853NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFD5853NLWFT1G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
型号：
RJK6012DPE-00#J3
仓库库存编号：
RJK6012DPE-00#J3-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） I2PAK
型号：
IRF840LCLPBF
仓库库存编号：
IRF840LCLPBF-ND
别名：*IRF840LCLPBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF840LCSPBF
仓库库存编号：
IRF840LCSPBF-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRL630STRLPBF
仓库库存编号：
IRL630STRLPBF-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRL630STRRPBF
仓库库存编号：
IRL630STRRPBF-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z34STRRPBF
仓库库存编号：
IRF9Z34STRRPBF-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） TO-263AB
型号：
IRF840LCSTRRPBF
仓库库存编号：
IRF840LCSTRRPBF-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIBC40GLCPBF
仓库库存编号：
IRFIBC40GLCPBF-ND
别名：*IRFIBC40GLCPBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 3A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP3N100P
仓库库存编号：
IXTP3N100P-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA3N100P
仓库库存编号：
IXTA3N100P-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH3N100P
仓库库存编号：
IXTH3N100P-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF840LC
仓库库存编号：
IRF840LC-ND
别名：*IRF840LC
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 60V 18A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9Z34
仓库库存编号：
IRF9Z34-ND
别名：*IRF9Z34
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 18A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z34S
仓库库存编号：
IRF9Z34S-ND
别名：*IRF9Z34S
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 18A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z34STRL
仓库库存编号：
IRF9Z34STRL-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI840GLC
仓库库存编号：
IRFI840GLC-ND
别名：*IRFI840GLC
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 12A TO220FP
详细描述：通孔 P 沟道 60V 12A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI9Z34G
仓库库存编号：
IRFI9Z34G-ND
别名：*IRFI9Z34G
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL630
仓库库存编号：
IRL630-ND
别名：*IRL630
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRL630S
仓库库存编号：
IRL630S-ND
别名：*IRL630S
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRL630STRL
仓库库存编号：
IRL630STRL-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 200V 6.2A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLI630G
仓库库存编号：
IRLI630G-ND
别名：*IRLI630G
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF840LCS
仓库库存编号：
IRF840LCS-ND
别名：*IRF840LCS
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.7A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI740GLC
仓库库存编号：
IRFI740GLC-ND
别名：*IRFI740GLC
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIBC40GLC
仓库库存编号：
IRFIBC40GLC-ND
别名：*IRFIBC40GLC
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
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