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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 18A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9Z34PBF
仓库库存编号：
IRF9Z34PBF-ND
别名：*IRF9Z34PBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z34SPBF
仓库库存编号：
IRF9Z34SPBF-ND
别名：IRF9Z34SPBFCT
IRF9Z34SPBFCT-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL630PBF
仓库库存编号：
IRL630PBF-ND
别名：*IRL630PBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7406TRPBF
仓库库存编号：
IRF7406PBFCT-ND
别名：*IRF7406TRPBF
IRF7406PBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 120V 15A TO-220F
详细描述：通孔 P 沟道 15A（Tc） 41W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF15P12
仓库库存编号：
FQPF15P12-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI840GLCPBF
仓库库存编号：
IRFI840GLCPBF-ND
别名：*IRFI840GLCPBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF740LCPBF
仓库库存编号：
IRF740LCPBF-ND
别名：*IRF740LCPBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBC40LCPBF
仓库库存编号：
IRFBC40LCPBF-ND
别名：*IRFBC40LCPBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 26A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 26A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ474EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ474EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ474EP-T1_GE3CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 23A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ158EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ158EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ158EP-T1_GE3CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 850mW（Ta），20W（Tc） CPT3
型号：
RCD075N19TL
仓库库存编号：
RCD075N19TLCT-ND
别名：RCD075N19TLCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 12A 3W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号：
NVMFD5853NLT1G
仓库库存编号：
NVMFD5853NLT1GOSCT-ND
别名：NVMFD5853NLT1GOSCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 200W（Tc） TO-263
型号：
IXTA3N120HV
仓库库存编号：
IXTA3N120HV-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 16.5A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 16.5A（Tc） 100W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP17P10
仓库库存编号：
FQP17P10-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF840LCPBF
仓库库存编号：
IRF840LCPBF-ND
别名：*IRF840LCPBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 12A TO220FP
详细描述：通孔 P 沟道 12A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI9Z34GPBF
仓库库存编号：
IRFI9Z34GPBF-ND
别名：*IRFI9Z34GPBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLI630GPBF
仓库库存编号：
IRLI630GPBF-ND
别名：*IRLI630GPBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 12A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 180W（Tc） TO-263AA
型号：
IXTA12N65X2
仓库库存编号：
IXTA12N65X2-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 120V 15A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 15A（Tc） 100W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP15P12
仓库库存编号：
FQP15P12-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 4.2A（Tc） 3.13W（Ta），140W（Tc） I2PAK
型号：
FQI4N90TU
仓库库存编号：
FQI4N90TU-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRL630SPBF
仓库库存编号：
IRL630SPBF-ND
别名：*IRL630SPBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 5.7A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI740GLCPBF
仓库库存编号：
IRFI740GLCPBF-ND
别名：*IRFI740GLCPBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z34STRLPBF
仓库库存编号：
IRF9Z34STRLPBFCT-ND
别名：IRF9Z34STRLPBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 180W（Tc） TO-220
型号：
IXTP12N65X2
仓库库存编号：
IXTP12N65X2-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
型号：
IXTH12N65X2
仓库库存编号：
IXTH12N65X2-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
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