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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 150V 13A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF6215L
  仓库库存编号：IRF6215L-ND
  别名：*IRF6215L
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 7.7A TO-220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 7.7A（Ta） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFI9530N
  仓库库存编号：IRFI9530N-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR6215TRL
  仓库库存编号：IRFR6215TRL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR6215TR
  仓库库存编号：IRFR6215TR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR6215TRR
  仓库库存编号：IRFR6215TRR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
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  含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 13A TO262
  详细描述：通孔 P 沟道 150V 13A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF6215L-103
  仓库库存编号：IRF6215L-103-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 18.7A（Ta） 81.1W（Ta） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP18P06PHKSA1
  仓库库存编号：SPP18P06PHKSA1-ND
  别名：SP000012300
  SPP18P06P
  SPP18P06PIN
  SPP18P06PIN-ND
  SPP18P06PX
  SPP18P06PXK
  SPP18P06PXTIN
  SPP18P06PXTIN-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 66A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 66A（Tc） 93W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD66NQ03LT,118
  仓库库存编号：PHD66NQ03LT,118-ND
  别名：934056842118
  PHD66NQ03LT /T3
  PHD66NQ03LT /T3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 66A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 66A（Tc） 93W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP66NQ03LT,127
  仓库库存编号：PHP66NQ03LT,127-ND
  别名：934056841127
  PHP66NQ03LT
  PHP66NQ03LT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 66A SPT533
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 66A（Tc） 93W（Tc） I-Pak
  
  型号：PHU66NQ03LT,127
  仓库库存编号：PHU66NQ03LT,127-ND
  别名：934058327127
  PHU66NQ03LT
  PHU66NQ03LT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 18.7A（Ta） 81.1W（Ta） PG-TO263-3
  
  型号：SPB18P06P
  仓库库存编号：SPB18P06P-ND
  别名：SP000012329
  SPB18P06PT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 18.6A（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU18P06P
  仓库库存编号：SPU18P06PIN-ND
  别名：SP000012303
  SPU18P06P-ND
  SPU18P06PIN
  SPU18P06PX
  SPU18P06PXK
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 18.6A（Tc） 80W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD18P06P
  仓库库存编号：SPD18P06PINCT-ND
  别名：SPD18P06PINCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR6215CPBF
  仓库库存编号：IRFR6215CPBF-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 150V 13A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF6215L-103PBF
  仓库库存编号：IRF6215L-103PBF-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 150V 13A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF6215LPBF
  仓库库存编号：IRF6215LPBF-ND
  别名：SP001564822
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR6215
  仓库库存编号：AUIRFR6215-ND
  别名：SP001517590
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 13A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF6215S
  仓库库存编号：AUIRF6215S-ND
  别名：SP001520176
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
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