规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR6215TRPBF
仓库库存编号：
IRFR6215TRPBFCT-ND
别名：IRFR6215TRPBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 12A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9530PBF
仓库库存编号：
IRF9530PBF-ND
别名：*IRF9530PBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU6215PBF
仓库库存编号：
IRFU6215PBF-ND
别名：*IRFU6215PBF
SP001557816
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 66A（Tc） 93W（Tc） D2PAK
型号：
PHB66NQ03LT,118
仓库库存编号：
1727-4768-1-ND
别名：1727-4768-1
568-5945-1
568-5945-1-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9530STRLPBF
仓库库存编号：
IRF9530STRLPBFCT-ND
别名：IRF9530STRLPBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 18.6A（Tc） 80W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD18P06P G
仓库库存编号：
SPD18P06P GCT-ND
别名：SPD18P06P GCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 18.7A（Ta） 81.1W（Ta） PG-TO263-2
型号：
SPB18P06P G
仓库库存编号：
SPB18P06PGINCT-ND
别名：SPB18P06PGINCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220FP
详细描述：通孔 P 沟道 7.7A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI9530GPBF
仓库库存编号：
IRFI9530GPBF-ND
别名：*IRFI9530GPBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 18.7A（Ta） 81.1W（Ta） PG-TO-220-3
型号：
SPP18P06P H
仓库库存编号：
SPP18P06P H-ND
别名：SP000446906
SPP18P06P G
SPP18P06P G-ND
SPP18P06PH
SPP18P06PHXKSA1
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF6215PBF
仓库库存编号：
IRF6215PBF-ND
别名：*IRF6215PBF
SP001559672
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
型号：
IRF6215STRLPBF
仓库库存编号：
IRF6215STRLPBFCT-ND
别名：IRF6215STRLPBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 40W（Tc） DPAK
型号：
SVD5806NT4G
仓库库存编号：
SVD5806NT4G-ND
别名：NVD5806NT4G
NVD5806NT4G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRFR6215TRL
仓库库存编号：
AUIRFR6215TRL-ND
别名：SP001522196
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 13A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF6215STRL
仓库库存编号：
AUIRF6215STRLTR-ND
别名：AUIRF6215STRLTR
SP001522066
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB
详细描述：通孔 P 沟道 150V 13A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRF6215
仓库库存编号：
AUIRF6215-ND
别名：SP001521586
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 100V 12A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9530
仓库库存编号：
IRF9530-ND
别名：*IRF9530
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 12A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9530S
仓库库存编号：
IRF9530S-ND
别名：*IRF9530S
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 12A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9530STRL
仓库库存编号：
IRF9530STRL-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220FP
详细描述：通孔 P 沟道 100V 7.7A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI9530G
仓库库存编号：
IRFI9530G-ND
别名：*IRFI9530G
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 100V 12A（Tc） I2PAK
型号：
IRF9530L
仓库库存编号：
IRF9530L-ND
别名：*IRF9530L
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 12A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9530STRR
仓库库存编号：
IRF9530STRR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 33A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 33A（Tc） 40W（Tc） DPAK
型号：
NTD5806NT4G
仓库库存编号：
NTD5806NT4GOSCT-ND
别名：NTD5806NT4GOSCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 13A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
型号：
IRF6215S
仓库库存编号：
IRF6215S-ND
别名：*IRF6215S
SP001551138
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 13A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
型号：
IRF6215STRR
仓库库存编号：
IRF6215STRR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 150V 13A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU6215
仓库库存编号：
IRFU6215-ND
别名：*IRFU6215
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V,
含铅
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