以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A TO-220-5
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220-5
  
  型号：IRC740PBF
  仓库库存编号：IRC740PBF-ND
  别名：*IRC740PBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 14A TO-220-5
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 14A（Tc） 125W（Tc） TO-220-5
  
  型号：IRC644PBF
  仓库库存编号：IRC644PBF-ND
  别名：*IRC644PBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 7.3A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF12P20
  仓库库存编号：FQPF12P20-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 7.3A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF12P20XDTU
  仓库库存编号：FQPF12P20XDTU-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 9.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 9.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF16N25
  仓库库存编号：FQPF16N25-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 16A（Tc） 3.13W（Ta），142W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB16N25TM
  仓库库存编号：FQB16N25TM-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 8.6A TO-3PF
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 8.6A（Tc） 70W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF12P20
  仓库库存编号：FQAF12P20-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 12.6A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 12.6A（Tc） 150W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA12P20
  仓库库存编号：FQA12P20-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 12.4A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 12.4A（Tc） 85W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF16N25
  仓库库存编号：FQAF16N25-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 27A（Ta） 88.2W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB30N06G
  仓库库存编号：NTB30N06G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 27A（Ta） 88.2W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB30N06T4G
  仓库库存编号：NTB30N06T4G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 24A（Ta） 1.36W（Ta），62.5W（Tj） I-Pak
  
  型号：NTD24N06-1G
  仓库库存编号：NTD24N06-1G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 7.3A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF12P20YDTU
  仓库库存编号：FQPF12P20YDTU-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 6A（Tc） 1.25W（Ta），20W（Tc） DPAK-3
  
  型号：MTD6N15T4G
  仓库库存编号：MTD6N15T4GOSCT-ND
  别名：MTD6N15T4GOSCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 24A（Ta） 55W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD5414NT4G
  仓库库存编号：NTD5414NT4G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 6A（Tc） 1.25W（Ta），20W（Tc） DPAK-3
  
  型号：MTD6N15T4GV
  仓库库存编号：MTD6N15T4GV-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 17A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：HAT2287WP-EL-E
  仓库库存编号：HAT2287WP-EL-E-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7403TR
  仓库库存编号：IRF7403TR-ND
  别名：Q829130
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 31A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
  
  型号：94-4582
  仓库库存编号：94-4582-ND
  别名：*IRF5305S
  IRF5305S
  IRF5305S-ND
  SP001520922
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 55V 31A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU5305
  仓库库存编号：IRFU5305-ND
  别名：*IRFU5305
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 31A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF5305STRR
  仓库库存编号：IRF5305STRR-ND
  别名：Q971401A
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 23A（Tc） 3.8W（Ta），136W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS23N15D
  仓库库存编号：IRFS23N15D-ND
  别名：*IRFS23N15D
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 23A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 23A（Tc） 3.8W（Ta），136W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL23N15D
  仓库库存编号：IRFSL23N15D-ND
  别名：*IRFSL23N15D
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 31A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 55V 31A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF5305L
  仓库库存编号：IRF5305L-ND
  别名：*IRF5305L
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 31A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR5305TRL
  仓库库存编号：IRFR5305TRL-ND
  别名：SP001557064
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
• 
  
  含铅
• 搜索