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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW11N60CFDFKSA1
仓库库存编号：
SPW11N60CFDFKSA1-ND
别名：SP000014534
SPW11N60CFD
SPW11N60CFD-ND
SPW11N60CFDIN
SPW11N60CFDIN-ND
SPW11N60CFDX
SPW11N60CFDXK
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 200V 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9640
仓库库存编号：
IRF9640-ND
别名：*IRF9640
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPF30
仓库库存编号：
IRFPF30-ND
别名：*IRFPF30
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 12A TO-247AC
详细描述：通孔 P 沟道 200V 12A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP9240
仓库库存编号：
IRFP9240-ND
别名：*IRFP9240
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 11A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9640S
仓库库存编号：
IRF9640S-ND
别名：*IRF9640S
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 11A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9640STRL
仓库库存编号：
IRF9640STRL-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 900V 1.9A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIBF30G
仓库库存编号：
IRFIBF30G-ND
别名：*IRFIBF30G
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 20A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIZ34G
仓库库存编号：
IRFIZ34G-ND
别名：*IRFIZ34G
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ34
仓库库存编号：
IRFZ34-ND
别名：*IRFZ34
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220FP
详细描述：通孔 P 沟道 200V 6.1A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI9640G
仓库库存编号：
IRFI9640G-ND
别名：*IRFI9640G
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 200V 11A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） I2PAK
型号：
IRF9640L
仓库库存编号：
IRF9640L-ND
别名：*IRF9640L
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 11A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9640STRR
仓库库存编号：
IRF9640STRR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 900V 3.6A（Tc） I2PAK
型号：
IRFBF30L
仓库库存编号：
IRFBF30L-ND
别名：*IRFBF30L
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBF30S
仓库库存编号：
IRFBF30S-ND
别名：*IRFBF30S
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBF30STRL
仓库库存编号：
IRFBF30STRL-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBF30STRR
仓库库存编号：
IRFBF30STRR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） TO-262-3
型号：
IRFZ34L
仓库库存编号：
IRFZ34L-ND
别名：*IRFZ34L
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ34S
仓库库存编号：
IRFZ34S-ND
别名：*IRFZ34S
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ34STRL
仓库库存编号：
IRFZ34STRL-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ34STRR
仓库库存编号：
IRFZ34STRR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 6A（Tc） 1.25W（Ta），20W（Tc） DPAK
型号：
MTD6N15T4
仓库库存编号：
MTD6N15T4OSCT-ND
别名：MTD6N15T4OSCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 27A（Ta） 88.2W（Tc） D2PAK
型号：
NTB30N06T4
仓库库存编号：
NTB30N06T4OS-ND
别名：NTB30N06T4OS
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 27A（Ta） 88.2W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP30N06
仓库库存编号：
NTP30N06OS-ND
别名：NTP30N06OS
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 60V 24A（Ta） 1.36W（Ta），62.5W（Tj） I-Pak
型号：
NTD24N06-001
仓库库存编号：
NTD24N06-001OS-ND
别名：NTD24N06-001OS
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBF30SPBF
仓库库存编号：
IRFBF30SPBF-ND
别名：*IRFBF30SPBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V,
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