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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.1A（Tc） 3.13W（Ta），55W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB2N50TM
  仓库库存编号：FQB2N50TM-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 230pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 1.6A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD2N50TF
  仓库库存编号：FQD2N50TF-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 230pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 3.2A（Tc） 3.13W（Ta），55W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI3N30TU
  仓库库存编号：FQI3N30TU-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 230pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 3.2A（Tc） 3.13W（Ta），55W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB3N30TM
  仓库库存编号：FQB3N30TM-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 230pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 1.6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 1.6A（Tc） 20W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF3N40
  仓库库存编号：FQPF3N40-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 230pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 2.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 2.5A（Tc） 3.13W（Ta），55W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI3N40TU
  仓库库存编号：FQI3N40TU-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 230pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 2.5A（Tc） 3.13W（Ta），55W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB3N40TM
  仓库库存编号：FQB3N40TM-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 230pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 1.3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 1.3A（Tc） 20W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF2N50
  仓库库存编号：FQPF2N50-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 230pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 2.1A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.1A（Tc） 55W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP2N50
  仓库库存编号：FQP2N50-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 230pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 4.5A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD6N20TF
  仓库库存编号：FDD6N20TFCT-ND
  别名：FDD6N20TFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 230pF @ 25V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 5.5A（Tc） 8W（Tc） SOT-223
  
  型号：BUK78150-55A,115
  仓库库存编号：568-9711-1-ND
  别名：568-9711-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 230pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 2A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRLL014NTR
  仓库库存编号：IRLL014NTR-ND
  别名：SP001558818
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 230pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 190mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP300 E6327
  仓库库存编号：BSP300 E6327-ND
  别名：BSP300E6327T
  SP000011111
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 230pF @ 25V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 190mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP300L6327HUSA1
  仓库库存编号：BSP300L6327HUSA1TR-ND
  别名：BSP300 L6327
  BSP300 L6327-ND
  BSP300L6327XT
  SP000089201
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 230pF @ 25V,
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