规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 30pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 350mW(Ta) TO-236
型号:
2N7002K-T1-GE3
仓库库存编号:
2N7002K-T1-GE3CT-ND
别名:2N7002K-T1-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 30pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 305mA 250mW Surface Mount SC-89-6
型号:
SI1026X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1026X-T1-GE3CT-ND
别名:SI1026X-T1-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 30pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A
详细描述:表面贴装 N 沟道 330mA(Ta) 250mW(Ta) SC-75A
型号:
SI1022R-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1022R-T1-GE3CT-ND
别名:SI1022R-T1-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 30pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 60V 305mA, 190mA 250mW Surface Mount SC-89-6
型号:
SI1029X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1029X-T1-GE3CT-ND
别名:SI1029X-T1-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 30pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 60V SOT563
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 60V 500mA, 360mA 450mW Surface Mount SOT-563
型号:
DMG1029SV-7
仓库库存编号:
DMG1029SV-7DICT-ND
别名:DMG1029SV-7DICT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 30pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 350mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
2N7002K-T1-E3
仓库库存编号:
2N7002K-T1-E3CT-ND
别名:2N7002K-T1-E3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 30pF @ 25V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 300mW(Ta) SOT-23
型号:
TSM2N7002KCX RFG
仓库库存编号:
TSM2N7002KCX RFGTR-ND
别名:TSM2N7002KCX RFGTR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 30pF @ 25V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 300mW(Ta) SOT-23
型号:
TSM2N7002KCX RFG
仓库库存编号:
TSM2N7002KCX RFGCT-ND
别名:TSM2N7002KCX RFGCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 30pF @ 25V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 300mW(Ta) SOT-23
型号:
TSM2N7002KCX RFG
仓库库存编号:
TSM2N7002KCX RFGDKR-ND
别名:TSM2N7002KCX RFGDKR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 30pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 380mA(Ta) 370mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN63D1L-13
仓库库存编号:
DMN63D1L-13-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 30pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 380mA(Ta) 310mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN63D1LW-13
仓库库存编号:
DMN63D1LW-13-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 30pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 380mA(Ta) 370mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN63D1L-7
仓库库存编号:
DMN63D1L-7-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 30pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 380mA(Ta) 310mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN63D1LW-7
仓库库存编号:
DMN63D1LW-7-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 30pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 250mA 310mW Surface Mount SOT-23
型号:
DMN63D1LDW-13
仓库库存编号:
DMN63D1LDW-13-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 30pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 250mA 310mW Surface Mount SOT-23
型号:
DMN63D1LDW-7
仓库库存编号:
DMN63D1LDW-7-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 30pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 330mA(Ta) 250mW(Ta) SC-75A
型号:
SI1022R-T1-E3
仓库库存编号:
SI1022R-T1-E3CT-ND
别名:SI1022R-T1-E3CT
SI1022RT1E3
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 30pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 305mA 250mW Surface Mount SC-89-6
型号:
SI1026X-T1-E3
仓库库存编号:
SI1026X-T1-E3CT-ND
别名:SI1026X-T1-E3CT
SI1026XT1E3
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 30pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 60V SOT563F
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 60V 305mA, 190mA 250mW Surface Mount SC-89-6
型号:
SI1029X-T1-E3
仓库库存编号:
SI1029X-T1-E3CT-ND
别名:SI1029X-T1-E3CT
SI1029XT1E3
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