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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 6.9A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI90R800C3XKSA1
  仓库库存编号：IPI90R800C3XKSA1-ND
  别名：IPI90R800C3
  IPI90R800C3-ND
  SP000413730
  SP000683086
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB60R299CP
  仓库库存编号：IPB60R299CPCT-ND
  别名：IPB60R299CPCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R310CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPA65R310CFDXKSA1-ND
  别名：IPA65R310CFD
  IPA65R310CFD-ND
  SP000890320
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI65R310CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPI65R310CFDXKSA1-ND
  别名：IPI65R310CFD
  IPI65R310CFD-ND
  SP000891700
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB60R299CPAATMA1
  仓库库存编号：IPB60R299CPAATMA1-ND
  别名：SP000539970
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 33W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R299CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R299CPXKSA1-ND
  别名：IPA60R299CP
  IPA60R299CP-ND
  SP000096438
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R310CFDFKSA1
  仓库库存编号：IPW65R310CFDFKSA1-ND
  别名：IPW65R310CFD
  IPW65R310CFD-ND
  SP000890688
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R299CPXKSA1
  仓库库存编号：IPI60R299CPXKSA1-ND
  别名：IPI60R299CP
  IPI60R299CP-ND
  IPI60R299CPAKSA1
  IPI60R299CPX
  IPI60R299CPXK
  SP000103249
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 4.5A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R650CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA80R650CEXKSA1-ND
  别名：SP001286432
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 100V,
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