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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1KV 7.3A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 7.3A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW8NB100
  仓库库存编号：497-2646-5-ND
  别名：497-2646-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 11A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW11NB80
  仓库库存编号：497-2789-5-ND
  别名：497-2789-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Tc） 313W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW26NM60
  仓库库存编号：497-3265-5-ND
  别名：497-3265-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 10A（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR12N100
  仓库库存编号：IXFR12N100-ND
  别名：Q1157068A
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 67A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 10A（Ta），67A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP14AN06LA0
  仓库库存编号：FDP14AN06LA0-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Ta），67A（Tc） 125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB14AN06LA0
  仓库库存编号：FDB14AN06LA0-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT12N100Q
  仓库库存编号：IXFT12N100Q-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 52A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 52A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF52N20T
  仓库库存编号：FDPF52N20T-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 40A（Ta） 60W（Tc） TO-3PFM
  
  型号：RJK2009DPM-00#T0
  仓库库存编号：RJK2009DPM-00#T0-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 81A（Tc） 170W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP054N
  仓库库存编号：IRFP054N-ND
  别名：*IRFP054N
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 2.4W（Ta），170W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF1104L
  仓库库存编号：IRF1104L-ND
  别名：*IRF1104L
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 2.4W（Ta），170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1104S
  仓库库存编号：IRF1104S-ND
  别名：*IRF1104S
  SP001563014
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 2.4W（Ta），170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1104STRL
  仓库库存编号：IRF1104STRL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 2.4W（Ta），170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1104STRR
  仓库库存编号：IRF1104STRR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 130W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3705Z
  仓库库存编号：IRLR3705Z-ND
  别名：*IRLR3705Z
  SP001568520
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 42A（Tc） 130W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU3705Z
  仓库库存编号：IRLU3705Z-ND
  别名：*IRLU3705Z
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 25V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 68A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 68A（Tc） 142W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7614-55,118
  仓库库存编号：BUK7614-55,118-ND
  别名：934045240118
  BUK7614-55 /T3
  BUK7614-55 /T3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 130W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRLR3705Z
  仓库库存编号：AUIRLR3705Z-ND
  别名：SP001516266
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 59A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3710ZGPBF
  仓库库存编号：IRF3710ZGPBF-ND
  别名：SP001564604
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 25V,
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