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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Tc) 2W(Ta),50W(Tc) PowerFlat?(3.3x3.3)
型号:
STL15N3LLH5
仓库库存编号:
497-12599-1-ND
别名:497-12599-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 22A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 100V 22A(Tc) 125W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP22P10
仓库库存编号:
FQP22P10-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 16.6A TO-3PF
详细描述:通孔 P 沟道 100V 16.6A(Tc) 70W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF22P10
仓库库存编号:
FQAF22P10-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 25.8A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 100V 25.8A(Tc) 83W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF33N10
仓库库存编号:
FQAF33N10-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 24A TO-3P
详细描述:通孔 P 沟道 100V 24A(Tc) 150W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA22P10
仓库库存编号:
FQA22P10-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 36A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 100V 36A(Tc) 163W(Tc) TO-3P
型号:
FQA33N10
仓库库存编号:
FQA33N10-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 5.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 5.8A(Tc) 158W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP6N80
仓库库存编号:
FQP6N80-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3.3A(Tc) 51W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF6N80
仓库库存编号:
FQPF6N80-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 800V 6.3A(Tc) 185W(Tc) TO-3P
型号:
FQA6N80
仓库库存编号:
FQA6N80-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 4.4A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.4A(Tc) 90W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF6N80
仓库库存编号:
FQAF6N80-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 800V 6.3A(Tc) 185W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA6N80_F109
仓库库存编号:
FQA6N80_F109-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 70A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 70A(Tc) 93W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP70N03-09BP-E3
仓库库存编号:
SUP70N03-09BP-E3-ND
别名:SUP70N03-09BP-E3CT
SUP70N03-09BP-E3CT-ND
SUP70N0309BPE3
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 700V 5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 700V 5A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M006A070F
仓库库存编号:
GP1M006A070F-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 700V 5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 700V 5A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M006A070FH
仓库库存编号:
1560-1162-5-ND
别名:1560-1162-1
1560-1162-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 55V 53A(Tc) 120W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP044N
仓库库存编号:
IRFP044N-ND
别名:*IRFP044N
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 33A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ46N
仓库库存编号:
IRFIZ46N-ND
别名:*IRFIZ46N
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 22A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 22A(Tc) 95W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BTS121ANKSA1
仓库库存编号:
BTS121ANKSA1-ND
别名:BTS121A
BTS121AIN
BTS121AIN-ND
SP000011200
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 33A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ46NPBF
仓库库存编号:
IRFIZ46NPBF-ND
别名:*IRFIZ46NPBF
SP001578084
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 45A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 45A(Tc) 103W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7624-55,118
仓库库存编号:
BUK7624-55,118-ND
别名:934045260118
BUK7624-55 /T3
BUK7624-55 /T3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 14A(Tc) 125W(Tc) DPAK
型号:
PHD14NQ20T,118
仓库库存编号:
PHD14NQ20T,118-ND
别名:934057072118
PHD14NQ20T /T3
PHD14NQ20T /T3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 14A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 14A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP14NQ20T,127
仓库库存编号:
PHP14NQ20T,127-ND
别名:934055683127
PHP14NQ20T
PHP14NQ20T-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 7.6A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 7.6A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
PHX14NQ20T,127
仓库库存编号:
PHX14NQ20T,127-ND
别名:934055773127
PHX14NQ20T
PHX14NQ20T-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.4A(Ta),19A(Tc) 2.8W(Ta),57W(Tc) DIRECTFET? MZ
型号:
IRF6785MTR1PBF
仓库库存编号:
IRF6785MTR1PBFCT-ND
别名:IRF6785MTR1PBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 45A(Tc) 103W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7524-55,127
仓库库存编号:
BUK7524-55,127-ND
别名:934045180127
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 22A TO-220AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 22A(Tc) 95W(Tc) TO-220AB
型号:
BTS121AE3045ANTMA1
仓库库存编号:
BTS121AE3045ANTMA1CT-ND
别名:BTS121A E3045ACT
BTS121A E3045ACT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V,
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