规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 25V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(81)
分立半导体产品
(81)
筛选品牌
Fairchild/Micross Components(5)
Fairchild/ON Semiconductor(1)
Infineon Technologies(3)
IXYS(6)
Kionix Inc.(1)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(1)
NXP USA Inc.(4)
ON Semiconductor(5)
Renesas Electronics America(2)
Rohm Semiconductor(1)
Sanken(1)
STMicroelectronics(27)
Taiwan Semiconductor Corporation(6)
Vishay BC Components(3)
Vishay Beyschlag(4)
Vishay Electro-Films(6)
Vishay Semiconductor Diodes Division(2)
Vishay Sfernice(2)
Vishay Siliconix(1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS5672
仓库库存编号：
FDS5672CT-ND
别名：FDS5672CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL540PBF
仓库库存编号：
IRL540PBF-ND
别名：*IRL540PBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 63A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 63A（Tc） 7.5W（Ta），65.2W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD50N03-09P-E3
仓库库存编号：
SUD50N03-09P-E3CT-ND
别名：SUD50N03-09P-E3CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
STD60N55F3
仓库库存编号：
497-7972-1-ND
别名：497-7972-1
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 28A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP32N20C
仓库库存编号：
FQP32N20CFS-ND
别名：FQP32N20C-ND
FQP32N20CFS
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 25A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 107W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SQD25N15-52_GE3
仓库库存编号：
SQD25N15-52_GE3CT-ND
别名：SQD25N15-52_GE3CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
型号：
IRL540STRLPBF
仓库库存编号：
IRL540STRLPBFCT-ND
别名：IRL540STRLPBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 21A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 170W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP22N30
仓库库存编号：
FQP22N30-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 7W（Tc） 8-SOP
型号：
TSM042N03CS RLG
仓库库存编号：
TSM042N03CS RLGTR-ND
别名：TSM042N03CS RLGTR
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 7W（Tc） 8-SOP
型号：
TSM042N03CS RLG
仓库库存编号：
TSM042N03CS RLGCT-ND
别名：TSM042N03CS RLGCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 7W（Tc） 8-SOP
型号：
TSM042N03CS RLG
仓库库存编号：
TSM042N03CS RLGDKR-ND
别名：TSM042N03CS RLGDKR
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） I-Pak
型号：
STU60N55F3
仓库库存编号：
497-12698-5-ND
别名：497-12698-5
STU60N55F3-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 16A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP350LCPBF
仓库库存编号：
IRFP350LCPBF-ND
别名：*IRFP350LCPBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP450LCPBF
仓库库存编号：
IRFP450LCPBF-ND
别名：*IRFP450LCPBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
STD95N4F3
仓库库存编号：
497-6024-1-ND
别名：497-6024-1
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
STD65N55F3
仓库库存编号：
497-7973-1-ND
别名：497-7973-1
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 70A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 110W（Tc） DPAK
型号：
STD70N6F3
仓库库存编号：
497-12240-1-ND
别名：497-12240-1
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
STP95N4F3
仓库库存编号：
497-7536-5-ND
别名：497-7536-5
STP95N4F3-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 3.13W（Ta），140W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB19N20LTM
仓库库存编号：
FQB19N20LTMCT-ND
别名：FQB19N20LTMCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） DPAK
型号：
STD65N55LF3
仓库库存编号：
497-10877-1-ND
别名：497-10877-1
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
STB95N4F3
仓库库存编号：
497-12427-1-ND
别名：497-12427-1
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
STD95N04
仓库库存编号：
497-5106-1-ND
别名：497-5106-1
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 12A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF22N30
仓库库存编号：
FQPF22N30-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 245W（Tc） TO-3PN
型号：
FDA33N25
仓库库存编号：
FDA33N25-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH6N100Q
仓库库存编号：
IXFH6N100Q-ND
别名：478547
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 25V,
无铅
搜索
1
2
3
4
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
