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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 14A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 14A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF530
  仓库库存编号：IRF530IR-ND
  别名：*IRF530
  IRF530IR
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 670pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 14A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF530S
  仓库库存编号：IRF530S-ND
  别名：*IRF530S
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 670pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 14A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF530STRR
  仓库库存编号：IRF530STRR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 670pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 9.7A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI530G
  仓库库存编号：IRFI530G-ND
  别名：*IRFI530G
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 670pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 14A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 14A（Tc） TO-262
  
  型号：IRF530L
  仓库库存编号：IRF530L-ND
  别名：*IRF530L
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 670pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 14A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF530STRL
  仓库库存编号：IRF530STRL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 670pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 14A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50V 14A（Tc） 48W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RFP14N05L
  仓库库存编号：RFP14N05L-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 670pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7.6A（Tc） 2.5W（Ta），51W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU10N20TU
  仓库库存编号：FQU10N20TU-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 670pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 10A（Tc） 87W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP10N20
  仓库库存编号：FQP10N20-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 670pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 7.6A（Tc） 2.5W（Ta），51W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD10N20TF
  仓库库存编号：FQD10N20TF-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 670pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 7.6A（Tc） 2.5W（Ta），51W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD10N20TM
  仓库库存编号：FQD10N20TM-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 670pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 6.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 6.8A（Tc） 40W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF10N20
  仓库库存编号：FQPF10N20-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 670pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 10A（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB10N20TM
  仓库库存编号：FQB10N20TM-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 670pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2.6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.6A（Tc） 36W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF4N60
  仓库库存编号：FQPF4N60-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 670pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 33W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FQPF5N60CYDTU
  仓库库存编号：FQPF5N60CYDTU-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.8A（Tc） 2.5W（Ta），49W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD5N60CTF
  仓库库存编号：FQD5N60CTF-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 670pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 3.13W（Ta），100W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB5N60CTM
  仓库库存编号：FQB5N60CTM-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.4A（Tc） 106W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP4N60
  仓库库存编号：FQP4N60-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 670pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7.6A（Tc） 2.5W（Ta），51W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU10N20TU_AM002
  仓库库存编号：FQU10N20TU_AM002-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 670pF @ 25V,
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