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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR110TRPBF
仓库库存编号：
IRFR110PBFCT-ND
别名：*IRFR110TRPBF
IRFR110PBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
型号：
IRFL110TRPBF
仓库库存编号：
IRFL110PBFCT-ND
别名：*IRFL110TRPBF
IRFL110PBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD110PBF
仓库库存编号：
IRFD110PBF-ND
别名：*IRFD110PBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU110PBF
仓库库存编号：
IRFU110PBF-ND
别名：*IRFU110PBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 5.6A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF510PBF
仓库库存编号：
IRF510PBF-ND
别名：*IRF510PBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRF510SPBF
仓库库存编号：
IRF510SPBF-ND
别名：*IRF510SPBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI510GPBF
仓库库存编号：
IRFI510GPBF-ND
别名：*IRFI510GPBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8?
型号：
IRF7506TRPBF
仓库库存编号：
IRF7506TRPBFCT-ND
别名：IRF7506TRPBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
型号：
IRF7526D1TRPBF
仓库库存编号：
IRF7526D1TRPBFCT-ND
别名：IRF7526D1TRPBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
IRF510STRRPBF
仓库库存编号：
IRF510STRRPBFCT-ND
别名：IRF510STRRPBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 55W（Tc） TO-252
型号：
IXTY2N65X2
仓库库存编号：
IXTY2N65X2-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 55W（Tc） TO-220
型号：
IXTP2N65X2
仓库库存编号：
IXTP2N65X2-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 250V 3A, 2.5A 650mW Surface Mount 8-SOP
型号：
SP8M70TB1
仓库库存编号：
SP8M70TB1-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 2A TO220FP
详细描述：通孔 P 沟道 2A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI9610GPBF
仓库库存编号：
IRFI9610GPBF-ND
别名：*IRFI9610GPBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 5.6A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF510
仓库库存编号：
IRF510-ND
别名：*IRF510
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD110
仓库库存编号：
IRFD110-ND
别名：*IRFD110
IRFD111
IRFD112
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR110
仓库库存编号：
IRFR110-ND
别名：*IRFR110
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.6A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRF510S
仓库库存编号：
IRF510S-ND
别名：*IRF510S
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 4.5A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI510G
仓库库存编号：
IRFI510G-ND
别名：*IRFI510G
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.5A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
型号：
IRFL110
仓库库存编号：
IRFL110-ND
别名：*IRFL110
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.5A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
型号：
IRFL110TR
仓库库存编号：
IRFL110TR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR110TR
仓库库存编号：
IRFR110TR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 4.3A（Tc） 25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU110
仓库库存编号：
IRFU110-ND
别名：*IRFU110
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 5.6A（Tc） TO-262-3
型号：
IRF510L
仓库库存编号：
IRF510L-ND
别名：*IRF510L
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.6A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRF510STRL
仓库库存编号：
IRF510STRL-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V,
含铅
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