规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VTR
仓库库存编号:
IRF7807VTR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET
详细描述:MOSFET
型号:
IRFC2604B
仓库库存编号:
IRFC2604B-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VD1TRPBF
仓库库存编号:
IRF7807VD1PBFCT-ND
别名:*IRF7807VD1TRPBF
IRF7807VD1PBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VD2TRPBF
仓库库存编号:
IRF7807VD2PBFCT-ND
别名:*IRF7807VD2TRPBF
IRF7807VD2PBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807D2TRPBF
仓库库存编号:
IRF7807D2PBFCT-ND
别名:*IRF7807D2TRPBF
IRF7807D2PBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807D1TRPBF
仓库库存编号:
IRF7807D1PBFCT-ND
别名:*IRF7807D1TRPBF
IRF7807D1PBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7805ATRPBF
仓库库存编号:
IRF7805APBFCT-ND
别名:*IRF7805ATRPBF
IRF7805APBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V
型号:
IRFL4310PBF
仓库库存编号:
IRFL4310PBFCT-ND
别名:64-8037PBFCT
64-8037PBFCT-ND
648037PBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SOT96-1
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4420DY,518
仓库库存编号:
SI4420DY,518-ND
别名:934056381518
SI4420DY /T3
SI4420DY /T3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4800,518
仓库库存编号:
SI4800,518-ND
别名:934056750518
SI4800 /T3
SI4800 /T3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SOT96-1
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI9410DY,518
仓库库存编号:
SI9410DY,518-ND
别名:934056383518
SI9410DY /T3
SI9410DY /T3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
SI9936DY,518
仓库库存编号:
SI9936DY,518-ND
别名:934056385518
SI9936DY /T3
SI9936DY /T3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 PG-TO-220-3
型号:
IPP21N03L G
仓库库存编号:
IPP21N03L G-ND
别名:IPP21N03LGX
IPP21N03LGXK
SP000065079
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Ta) PG-TO251-3
型号:
IPS20N03L G
仓库库存编号:
IPS20N03L G-ND
别名:IPS20N03LGX
IPS20N03LGXK
SP000064380
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 75V 100A(Ta) PG-TO262-3-1
型号:
SPI100N08S2-07
仓库库存编号:
SPI100N08S2-07-ND
别名:SP000055687
SPI100N08S207
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 140A(Ta) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7833CPBF
仓库库存编号:
IRLR7833CPBF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 36A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 36A(Ta) D-Pak
型号:
IRLR2905CPBF
仓库库存编号:
IRLR2905CPBF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 28V 14.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 28V 14.5A(Ta) 8-SO
型号:
IRF7809PBF
仓库库存编号:
IRF7809PBF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 140A(Ta) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7833CTRLPBF
仓库库存编号:
IRLR7833CTRLPBF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 140A(Ta) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7833CTRRPBF
仓库库存编号:
IRLR7833CTRRPBF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7805QTRPBF
仓库库存编号:
IRF7805QTRPBFCT-ND
别名:IRF7805QTRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH2030AL,115
仓库库存编号:
PH2030AL,115-ND
别名:934062275115
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH4530AL,115
仓库库存编号:
PH4530AL,115-ND
别名:934063198115
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-883
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 300mA(Ta) 250mW(Ta) DFN1006-3
型号:
2N7002PM,315
仓库库存编号:
2N7002PM,315-ND
别名:934064133315
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807ATRPBF
仓库库存编号:
IRF7807ATRPBFCT-ND
别名:IRF7807ATRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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