规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(1898)
分立半导体产品
(1898)
筛选品牌
Advanced Linear Devices Inc.(31)
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(4)
Central Semiconductor Corp(2)
Diodes Incorporated(29)
Fairchild/Micross Components(195)
Fairchild/ON Semiconductor(56)
GeneSiC Semiconductor(14)
Infineon Technologies(76)
IXYS(193)
IXYS Integrated Circuits Division(4)
Kionix Inc.(8)
Micro Commercial Co(1)
Microchip Technology(4)
Microsemi Corporation(91)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(91)
Monolithic Power Systems Inc.(3)
Nexperia USA Inc.(16)
NXP USA Inc.(32)
ON Semiconductor(26)
Panasonic - ATG(5)
Panasonic - BSG(4)
Panasonic Electronic Components(1)
Panasonic Industrial Automation Sales(10)
Renesas Electronics America(5)
Rohm Semiconductor(21)
Sanken(6)
Skyworks Solutions Inc.(1)
STMicroelectronics(44)
Texas Instruments(13)
Toshiba Semiconductor and Storage(14)
Vishay BC Components(79)
Vishay Beyschlag(406)
Vishay Dale(1)
Vishay Electro-Films(172)
Vishay Huntington Electric Inc.(61)
Vishay Semiconductor Diodes Division(20)
Vishay Semiconductor Opto Division(4)
Vishay Sfernice(18)
Vishay Siliconix(104)
Vishay Spectrol(14)
Vishay Sprague(2)
Vishay Thin Film(8)
Vishay Vitramon(9)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 8A ECH8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 8A (Ta) Surface Mount 8-ECH
型号:
ECH8601M-TL-H
仓库库存编号:
ECH8601M-TL-HOSCT-ND
别名:ECH8601M-TL-HOSCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET 2N-CH 24V
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 1.3W Surface Mount 4-EFLIP-LGA (1.62x1.62)
型号:
UPA2373T1P-E4-A
仓库库存编号:
UPA2373T1P-E4-A-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 25A(Tc) 175W(Tc) TO-247
型号:
APT25SM120B
仓库库存编号:
APT25SM120B-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V SOT-223
型号:
ZXMP6A16GTA
仓库库存编号:
ZXMP6A16GTA-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807
仓库库存编号:
IRF7807-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7807D1
仓库库存编号:
IRF7807D1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807D2
仓库库存编号:
IRF7807D2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807TR
仓库库存编号:
IRF7807TR-ND
别名:SP001556108
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807D1TR
仓库库存编号:
IRF7807D1TR-ND
别名:SP001577472
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7807D2TR
仓库库存编号:
IRF7807D2TR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A SUPER D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 21A(Ta) SUPER D2-PAK
型号:
IRFBL3315
仓库库存编号:
IRFBL3315-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 89A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 89A(Ta) 89W(Ta) D-Pak
型号:
IRLR8103
仓库库存编号:
IRLR8103-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 89A(Ta) 89W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103TR
仓库库存编号:
IRLR8103TR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 7.9A 3W Surface Mount 16-FlipFet?
型号:
IRF6150
仓库库存编号:
IRF6150CT-ND
别名:*IRF6150
IRF6150CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807A
仓库库存编号:
IRF7807A-ND
别名:*IRF7807A
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7805A
仓库库存编号:
IRF7805A-ND
别名:*IRF7805A
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VD2
仓库库存编号:
IRF7807VD2-ND
别名:*IRF7807VD2
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V D2PAK
型号:
IRF3314STRR
仓库库存编号:
IRF3314STRR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8-SO
型号:
IRF7423TR
仓库库存编号:
IRF7423TR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 8-SO
型号:
IRF7426TR
仓库库存编号:
IRF7426TR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7805ATR
仓库库存编号:
IRF7805ATR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807ATR
仓库库存编号:
IRF7807ATR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VD1
仓库库存编号:
IRF7807VD1-ND
别名:*IRF7807VD1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VD1TR
仓库库存编号:
IRF7807VD1TR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VD2TR
仓库库存编号:
IRF7807VD2TR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
搜索
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号