规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 1.95W(Ta),10W(Tc) PowerPAK? SC-75-6L 单
型号:
SIB406EDK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB406EDK-T1-GE3CT-ND
别名:SIB406EDK-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 2.4W(Ta),11.4W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA438EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA438EDJ-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 3.5W(Ta),10.4W(Tc) 8-PowerPak? ChipFet(3x1.9)
型号:
SI5458DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5458DU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5458DU-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 2.5W(Ta),6.25W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5424DC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5424DC-T1-E3TR-ND
别名:SI5424DC-T1-E3TR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 2.5W(Ta),6.3W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5414DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5414DC-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
CONSUMER
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 30W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R600P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD60R600P7SAUMA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 104W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF730BPBF
仓库库存编号:
IRF730BPBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 104W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP6N40D-GE3
仓库库存编号:
SIHP6N40D-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 900V 6A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF6N90
仓库库存编号:
AOTF6N90-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 6A CPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 850mW(Ta),20W(Tc) CPT3
型号:
RCD060N25TL
仓库库存编号:
RCD060N25TL-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 FPAK
详细描述:通孔 N 沟道 400V 6A(Tc) 30W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF6N40D-E3
仓库库存编号:
SIHF6N40D-E3-ND
别名:SIHF6N40DE3
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 620V 6A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 620V 6A(Tc) 78W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
SIHU6N62E-GE3
仓库库存编号:
SIHU6N62E-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 6A(Tc) 45W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R900P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R900P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R900P7ATMA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 400V 6A(Tc) 104W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP6N40D-E3
仓库库存编号:
SIHP6N40D-E3-ND
别名:SIHP6N40DE3
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP6N50P
仓库库存编号:
IXTP6N50P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: >800V ITO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 40W(Tc) ITO-220AB
型号:
DMN90H2D2HCTI
仓库库存编号:
DMN90H2D2HCTI-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 21W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R600P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R600P7SXKSA1-ND
别名:SP001658294
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 100W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA6N50P
仓库库存编号:
IXTA6N50P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 21W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R600P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R600P7SXKSA1-ND
别名:SP001618082
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 21W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R600P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R600P7XKSA1-ND
别名:SP001618084
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 45W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R900P7AKMA1
仓库库存编号:
IPU80R900P7AKMA1-ND
别名:SP001633512
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 45W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS80R900P7AKMA1
仓库库存编号:
IPS80R900P7AKMA1-ND
别名:SP001633526
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 26W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R900P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA80R900P7XKSA1-ND
别名:SP001633482
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 45W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP80R900P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP80R900P7XKSA1-ND
别名:SP001633486
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP12N50PM
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