规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 20V 2.2A MINI6-F1
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 540mW（Ta） WSSMini6-F1
型号：
FM6L52020L
仓库库存编号：
FM6L52020L-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
型号：
NTGS3443T1
仓库库存编号：
NTGS3443T1OS-ND
别名：NTGS3443T1OS
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.2A（Ta） 1W（Ta） 8-TSSOP
型号：
SI6459BDQ-T1-E3
仓库库存编号：
SI6459BDQ-T1-E3CT-ND
别名：SI6459BDQ-T1-E3CT
SI6459BDQT1E3
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 700mW（Ta） 6-TSOP
型号：
NTGS3441BT1G
仓库库存编号：
NTGS3441BT1G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 20V 2.2A WSSMINI6
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.2A（Ta） 540mW（Ta） WSSMini6-F1
型号：
MTM867270LBF
仓库库存编号：
MTM867270LBFCT-ND
别名：MTM867270LBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 1W（Ta） 6-TSOP
型号：
NTGD3147FT1G
仓库库存编号：
NTGD3147FT1G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 480mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
NTR3162PT1G
仓库库存编号：
NTR3162PT1G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 480mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
NTR3162PT3G
仓库库存编号：
NTR3162PT3G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.2A（Ta） 1W（Ta） 8-TSSOP
型号：
SI6459BDQ-T1-GE3
仓库库存编号：
SI6459BDQ-T1-GE3CT-ND
别名：SI6459BDQ-T1-GE3CT
SI6459BDQT1GE3
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 710mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJD3182FZTAG
仓库库存编号：
NTLJD3182FZTAG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 710mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJD3182FZTBG
仓库库存编号：
NTLJD3182FZTBG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 2.2A PS-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2.2A（Ta） 840mW（Ta） PS-8 (2.9x2.4)
型号：
TPCP8003-H(TE85L,F
仓库库存编号：
TPCP8003-H(TE85L,F-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.4A SGL 6UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 600mW（Ta） 6-UDFN（1.6x1.6）
型号：
NTLUS3192PZTAG
仓库库存编号：
NTLUS3192PZTAG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.4A SGL 6UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 600mW（Ta） 6-UDFN（1.6x1.6）
型号：
NTLUS3192PZTBG
仓库库存编号：
NTLUS3192PZTBG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 2A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.2A（Ta） 310mW（Ta），2.17W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV65UN,215
仓库库存编号：
568-10837-1-ND
别名：568-10837-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7324D1
仓库库存编号：
IRF7324D1-ND
别名：*IRF7324D1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7324D1TR
仓库库存编号：
IRF7324D1TR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 2.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7453
仓库库存编号：
IRF7453-ND
别名：*IRF7453
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 2.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7453TR
仓库库存编号：
IRF7453TR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 2.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7453TRPBF
仓库库存编号：
IRF7453PBFCT-ND
别名：*IRF7453TRPBF
IRF7453PBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
无铅
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