规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Ta) 700mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2301BDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2301BDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2301BDS-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7431DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7431DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7431DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7431DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7431DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7431DP-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Ta) 480mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR4171PT1G
仓库库存编号:
NTR4171PT1GOSCT-ND
别名:NTR4171PT1GOSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Ta) 500mW(Ta) 6-TSOP
型号:
NTGS3443T1G
仓库库存编号:
NTGS3443T1GOSCT-ND
别名:NTGS3443T1GOS
NTGS3443T1GOS-ND
NTGS3443T1GOSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Ta) 500mW(Ta) UFM
型号:
SSM3K116TU,LF
仓库库存编号:
SSM3K116TULFCT-ND
别名:SSM3K116TULFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Ta) 650mW(Ta) SOT-23-3
型号:
DMN3200U-7
仓库库存编号:
DMN3200U-7DICT-ND
别名:DMN3200U-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF6216TRPBF
仓库库存编号:
IRF6216TRPBFCT-ND
别名:IRF6216TRPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7818DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7818DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7818DN-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7818DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7818DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7818DN-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 20V 2.2A WSSMINI6
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Ta) 540mW(Ta) WSSMini6-F1
型号:
MTM862270LBF
仓库库存编号:
MTM862270LBFCT-ND
别名:MTM862270LBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Ta) 420mW(Ta) SC-70-6
型号:
FDG410NZ
仓库库存编号:
FDG410NZCT-ND
别名:FDG410NZCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Ta) 1W(Ta) 4-DSBGA(1x1)
型号:
CSD23202W10T
仓库库存编号:
296-38338-1-ND
别名:296-38338-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1.8A SC-70
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 2.2A(Ta) 395mW(Ta) SC-70
型号:
PMF63UNEX
仓库库存编号:
1727-2694-1-ND
别名:1727-2694-1
568-13213-1
568-13213-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 700mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2301BDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2301BDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2301BDS-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -20V, -
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A (Ta) 1.15W Surface Mount SOT-26
型号:
TSM3911DCX6 RFG
仓库库存编号:
TSM3911DCX6 RFGTR-ND
别名:TSM3911DCX6 RFGTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -20V, -
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A (Ta) 1.15W Surface Mount SOT-26
型号:
TSM3911DCX6 RFG
仓库库存编号:
TSM3911DCX6 RFGCT-ND
别名:TSM3911DCX6 RFGCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -20V, -
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A (Ta) 1.15W Surface Mount SOT-26
型号:
TSM3911DCX6 RFG
仓库库存编号:
TSM3911DCX6 RFGDKR-ND
别名:TSM3911DCX6 RFGDKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 2.2A PICOSTAR
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD18541F5
仓库库存编号:
296-44374-1-ND
别名:296-44374-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Ta) 970mW(Ta) SOT-89
型号:
ZXMN3A01ZTA
仓库库存编号:
ZXMN3A01ZTADICT-ND
别名:ZXMN3A01ZTADICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA86108LZ
仓库库存编号:
FDMA86108LZCT-ND
别名:FDMA86108LZCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 150V
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Ta) 1W(Ta) 8-SO
型号:
FDS86267P
仓库库存编号:
FDS86267PCT-ND
别名:FDS86267PCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7324D1TRPBF
仓库库存编号:
IRF7324D1PBFCT-ND
别名:*IRF7324D1TRPBF
IRF7324D1PBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Ta) 960mW(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC6392S
仓库库存编号:
FDC6392SCT-ND
别名:FDC6392S_NLCT
FDC6392S_NLCT-ND
FDC6392SCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN337N
仓库库存编号:
FDN337NCT-ND
别名:FDN337NCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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