规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7326DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7326DN-T1-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7326DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7326DN-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS065N03TB
仓库库存编号:
RSS065N03TBCT-ND
别名:RSS065N03TBCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS065N03FU6TB
仓库库存编号:
RSS065N03FU6TB-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7804DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7804DN-T1-E3TR-ND
别名:SI7804DN-T1-E3TR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7804DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7804DN-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.5A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4426DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4426DY-T1-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.5A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4426DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4426DY-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 6.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 6.5A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK7A45DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK7A45DA(STA4QM)-ND
别名:TK7A45DA(STA4QM)
TK7A45DASTA4QM
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 6.5A EMH8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6.5A(Ta) 1.5W(Ta) 8-EMH
型号:
EMH1307-TL-H
仓库库存编号:
EMH1307-TL-H-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 6.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 6.5A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4454
仓库库存编号:
AO4454-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 45V 6.5A MPT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 45V 6.5A(Ta) 2W(Ta) MPT6
型号:
RP1H065SPTR
仓库库存编号:
RP1H065SPCT-ND
别名:RP1H065SPTRCT
RP1H065SPTRCT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.5A(Ta)
型号:
DMG6968LSD-13
仓库库存编号:
DMG6968LSD-13DI-ND
别名:DMG6968LSD-13DI
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6.5A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4459L
仓库库存编号:
AO4459L-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7353D1
仓库库存编号:
IRF7353D1-ND
别名:*IRF7353D1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7353D1TR
仓库库存编号:
IRF7353D1TR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.5A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7607
仓库库存编号:
IRF7607-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7353D2
仓库库存编号:
IRF7353D2-ND
别名:*IRF7353D2
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.5A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(SOT23-6)
型号:
IRLMS2002TR
仓库库存编号:
IRLMS2002CT-ND
别名:*IRLMS2002TR
IRLMS2002CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7353D1TRPBF
仓库库存编号:
IRF7353D1PBFCT-ND
别名:*IRF7353D1TRPBF
IRF7353D1PBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7353D2TRPBF
仓库库存编号:
IRF7353D2PBFCT-ND
别名:*IRF7353D2TRPBF
IRF7353D2PBFCT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.5A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(SOT23-6)
型号:
IRLMS2002GTRPBF
仓库库存编号:
IRLMS2002GTRPBFCT-ND
别名:IRLMS2002GTRPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Ta),
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