规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V SC-74
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 500mW（Ta），8.33W（Tc） 6-TSOP
型号：
PMN42XPEAX
仓库库存编号：
PMN42XPEAX-ND
别名：934068548115
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 4A MCPH6
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1.5W（Ta） 6-MCPH
型号：
MCH6445-TL-W
仓库库存编号：
MCH6445-TL-W-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 4A SOT-26
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-26
型号：
DMP3098LDM-7
仓库库存编号：
DMP3098LDM-7-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 500mW（Ta），8.33W（Tc） 6-TSOP
型号：
PMN42XPE,115
仓库库存编号：
1727-1359-1-ND
别名：1727-1359-1
568-10802-1
568-10802-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V CPH6
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 1.9W（Ta） 6-CPH
型号：
NVC6S5A354PLZT1G
仓库库存编号：
NVC6S5A354PLZT1G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 100V 4A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 3.1W（Ta），46W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
GKI10526
仓库库存编号：
GKI10526CT-ND
别名：GKI10526CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）,
无铅
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Torex Semiconductor Ltd
MOSFET N-CH 30V 4A SOT89
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 2W（Ta） SOT-89
型号：
XP161A11A1PR-G
仓库库存编号：
XP161A11A1PR-G-ND
别名：XP161A11A1PR
XP161A11A1PR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）,
无铅
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Torex Semiconductor Ltd
MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 2W（Ta） SOT-89
型号：
XP161A1265PR
仓库库存编号：
XP161A1265PR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）,
无铅
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Torex Semiconductor Ltd
MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 2W（Ta） SOT-89
型号：
XP161A1355PR-G
仓库库存编号：
XP161A1355PR-G-ND
别名：XP161A1355PR
XP161A1355PR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）,
无铅
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Torex Semiconductor Ltd
MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 2W（Ta） SOT-89
型号：
XP161A1265PR-G
仓库库存编号：
XP161A1265PR-G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 4A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RSS040P03FU6TB
仓库库存编号：
RSS040P03FU6TB-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 450V 4A MP3A
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 40.3W（Tc） MP-3A
型号：
RJK4532DPD-00#J2
仓库库存编号：
RJK4532DPD-00#J2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7846DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7846DP-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Ta） 125W（Tc） TO-3P
型号：
2SK1835-E
仓库库存编号：
2SK1835-E-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）,
无铅
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EPC
TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 4A（Ta） 模具剖面（12 焊条）
型号：
EPC2025ENGR
仓库库存编号：
917-EPC2025ENGR-ND
别名：917-EPC2025ENGR
EPC2025ENGRC
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 4A 8-SOPA
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 4A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPCA8008-H(TE12L,Q
仓库库存编号：
TPCA8008HTE12LQCT-ND
别名：TPCA8008HTE12LQCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 12V 4A SMINI-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 4A（Ta） 500mW（Ta） S迷你型3-G1
型号：
MTM231100L
仓库库存编号：
MTM231100LCT-ND
别名：MTM231100LCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 4A 12-BGA
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 4A（Ta） 2W（Ta） 12-BGA（2x2.5）
型号：
FDZ209N
仓库库存编号：
FDZ209NCT-ND
别名：FDZ209NCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
型号：
SI3481DV-T1-E3
仓库库存编号：
SI3481DV-T1-E3CT-ND
别名：SI3481DV-T1-E3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 4A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
型号：
SI6433BDQ-T1-E3
仓库库存编号：
SI6433BDQ-T1-E3CT-ND
别名：SI6433BDQ-T1-E3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4A（Ta） 1.35W（Ta） 3-DFN（2x2）
型号：
ZXMN2F34MATA
仓库库存编号：
ZXMN2F34MACT-ND
别名：ZXMN2F34MACT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 4A SOP-8 ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 4A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPCA8008-H(TE12LQM
仓库库存编号：
TPCA8008-H(TE12LQM-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 4A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
型号：
SI6433BDQ-T1-GE3
仓库库存编号：
SI6433BDQ-T1-GE3CT-ND
别名：SI6433BDQ-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 4A（Ta） 100W（Tc） TO-220AB
型号：
2SK1119(F)
仓库库存编号：
2SK1119(F)-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 4A TSM
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4A（Ta） 700mW（Ta） TSM
型号：
SSM3K316T(TE85L,F)
仓库库存编号：
SSM3K316T(TE85LF)CT-ND
别名：SSM3K316T(T5LFT)CT
SSM3K316T(T5LFT)CT-ND
SSM3K316T(TE85LF)CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）,
无铅
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