规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 13A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
型号：
IRF6215STRR
仓库库存编号：
IRF6215STRR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 150V 13A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU6215
仓库库存编号：
IRFU6215-ND
别名：*IRFU6215
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 150V 13A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） TO-262
型号：
IRF6215L
仓库库存编号：
IRF6215L-ND
别名：*IRF6215L
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR13N20DTRL
仓库库存编号：
IRFR13N20DTRL-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR13N20DTR
仓库库存编号：
IRFR13N20DTR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR13N20DTRR
仓库库存编号：
IRFR13N20DTRR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR6215TRL
仓库库存编号：
IRFR6215TRL-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR6215TR
仓库库存编号：
IRFR6215TR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR6215TRR
仓库库存编号：
IRFR6215TRR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 100V 13A（Tc） 66W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU5410
仓库库存编号：
IRFU5410-ND
别名：*IRFU5410
SP001576322
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 13A（Tc） 66W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR5410TR
仓库库存编号：
IRFR5410TR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 13A（Tc） 66W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR5410TRL
仓库库存编号：
IRFR5410TRL-ND
别名：SP001567628
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 13A（Tc） 66W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR5410TRR
仓库库存编号：
IRFR5410TRR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO262
详细描述：通孔 P 沟道 150V 13A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） TO-262
型号：
IRF6215L-103
仓库库存编号：
IRF6215L-103-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 13A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 13A（Tc） 53W（Tc） D2PAK
型号：
BUK96150-55A,118
仓库库存编号：
BUK96150-55A,118-ND
别名：934056271118
BUK96150-55A /T3
BUK96150-55A /T3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 13A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 13A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
型号：
PHX23NQ10T,127
仓库库存编号：
PHX23NQ10T,127-ND
别名：934055797127
PHX23NQ10T
PHX23NQ10T-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 13A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP80CN10NGHKSA1
仓库库存编号：
IPP80CN10NGHKSA1-ND
别名：IPP80CN10N G
IPP80CN10N G-ND
IPP80CN10NGX
IPP80CN10NGXK
SP000096475
SP000680966
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR6215CPBF
仓库库存编号：
IRFR6215CPBF-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 150V 13A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） TO-262
型号：
IRF6215L-103PBF
仓库库存编号：
IRF6215L-103PBF-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR13N20DCPBF
仓库库存编号：
IRFR13N20DCPBF-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR13N20DCTRRP
仓库库存编号：
IRFR13N20DCTRRP-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR13N20DCTRLP
仓库库存编号：
IRFR13N20DCTRLP-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 150V 13A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） TO-262
型号：
IRF6215LPBF
仓库库存编号：
IRF6215LPBF-ND
别名：SP001564822
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 13A（Tc） 31W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB79CN10N G
仓库库存编号：
IPB79CN10N G-ND
别名：SP000277697
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 13A（Tc） 31W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80CN10N G
仓库库存编号：
IPI80CN10N G-ND
别名：SP000208938
SP000680758
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）,
无铅
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