规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(62)
分立半导体产品
(62)
筛选品牌
Central Semiconductor Corp(1)
Diodes Incorporated(15)
Fairchild/Micross Components(6)
Fairchild/ON Semiconductor(3)
Infineon Technologies(3)
IXYS Integrated Circuits Division(2)
Kionix Inc.(1)
Nexperia USA Inc.(7)
NXP USA Inc.(6)
Panasonic Industrial Automation Sales(1)
Rohm Semiconductor(5)
Taiwan Semiconductor Corporation(9)
Vishay BC Components(1)
Vishay Beyschlag(1)
Vishay Electro-Films(1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.3A SOT-323
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 300mA(Ta) 150mW(Ta) SC-70-3(SOT323)
型号:
MMBF2202PT1
仓库库存编号:
MMBF2202PT1OSCT-ND
别名:MMBF2202PT1OSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta),
含铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 240V 300MA SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 300mA(Ta) 1W(Ta) SOT-89-3
型号:
ZVN4424ZTA
仓库库存编号:
ZVN4424ZCT-ND
别名:ZVN4424ZCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 300mA(Ta) 200mW(Ta) SST3
型号:
RK7002AT116
仓库库存编号:
RK7002AT116CT-ND
别名:RK7002AT116CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.3A SOT323
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 300mA(Ta) 150mW(Ta) SC-70-3(SOT323)
型号:
MMBF2202PT1G
仓库库存编号:
MMBF2202PT1GOSCT-ND
别名:MMBF2202PT1GOSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 300mA(Ta) 1W(Ta) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1419DH-T1-E3
仓库库存编号:
SI1419DH-T1-E3CT-ND
别名:SI1419DH-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
详细描述:通孔 N 沟道 200V 300mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
BS108,126
仓库库存编号:
BS108,126-ND
别名:934003840126
BS108 AMO
BS108 AMO-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
详细描述:通孔 N 沟道 200V 300mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
BS108/01,126
仓库库存编号:
BS108/01,126-ND
别名:934009850126
BS108/01 AMO
BS108/01 AMO-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 300V 300MA SOT54
详细描述:通孔 N 沟道 300V 300mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
BSN304,126
仓库库存编号:
BSN304,126-ND
别名:934023530126
BSN304 AMO
BSN304 AMO-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.3A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 300mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
SPN01N60C3
仓库库存编号:
SPN01N60C3-ND
别名:SP000012411
SPN01N60C3T
SPN01N60C3XT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta),
含铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 300mA(Ta) 830mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
2N7002T,215
仓库库存编号:
2N7002T,215-ND
别名:2N7002T T/R
2N7002T T/R-ND
934055796215
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 300mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
2N7002 L6327
仓库库存编号:
2N7002 L6327-ND
别名:2N7002L6327HTSA1
SP000408440
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-883
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 300mA(Ta) 250mW(Ta) DFN1006-3
型号:
2N7002PM,315
仓库库存编号:
2N7002PM,315-ND
别名:934064133315
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta),
无铅
搜索
1
2
3
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号