规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 70A ISOTOP
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 70A（Tc） 600W（Tc） ISOTOP?
型号：
STE70NM50
仓库库存编号：
497-3172-5-ND
别名：497-3172-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 70A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 70A（Tc） 130W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
NDB7051
仓库库存编号：
NDB7051-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 70A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80V 70A（Tc） 155W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP70N08
仓库库存编号：
FQP70N08-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 70A（Tc） 3.75W（Ta），155W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB70N08TM
仓库库存编号：
FQB70N08TM-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 70A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 214W（Tc） TO-247
型号：
FQH70N10
仓库库存编号：
FQH70N10-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 70A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 70A（Tc） 176W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA70N085T
仓库库存编号：
IXTA70N085T-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 70A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 85V 70A（Tc） 176W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP70N085T
仓库库存编号：
IXTP70N085T-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 70A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 70A（Tc） 100W（Tc） TO-220
型号：
AOT462
仓库库存编号：
785-1147-2-ND
别名：785-1147-2
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 70A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 30V 70A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
型号：
FDP8876
仓库库存编号：
FDP8876-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 70A TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
型号：
SSH70N10A
仓库库存编号：
SSH70N10A-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 70A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 150V 70A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH70N15
仓库库存编号：
IXFH70N15-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 70A（Tc） 3.75W（Ta），93W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM70N03-09CP-E3
仓库库存编号：
SUM70N03-09CP-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 70A（Tc） 3.75W（Ta），100W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM70N04-07L-E3
仓库库存编号：
SUM70N04-07L-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 70A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 70A（Tc） 93W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP70N03-09BP-E3
仓库库存编号：
SUP70N03-09BP-E3-ND
别名：SUP70N03-09BP-E3CT
SUP70N03-09BP-E3CT-ND
SUP70N0309BPE3
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 80V 70A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3418PBF
仓库库存编号：
IRFU3418PBF-ND
别名：*IRFU3418PBF
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB70N10L
仓库库存编号：
SPB70N10L-ND
别名：SP000012079
SPB70N10LT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI70N10L
仓库库存编号：
SPI70N10L-ND
别名：SP000014005
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP70N10L
仓库库存编号：
SPP70N10LIN-ND
别名：SP000012103
SPP70N10L-ND
SPP70N10LIN
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 70A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3418PBF
仓库库存编号：
IRFR3418PBF-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 70A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3418TRLPBF
仓库库存编号：
IRFR3418TRLPBF-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 70A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3418TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3418TRPBF-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI100N08N3GHKSA1
仓库库存编号：
IPI100N08N3GHKSA1-ND
别名：IPI100N08N3 G
IPI100N08N3 G-ND
SP000474192
SP000680710
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 70A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB052N04NGATMA1
仓库库存编号：
IPB052N04NGATMA1CT-ND
别名：IPB052N04N GCT
IPB052N04N GCT-ND
IPB052N04NG
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB097N08N3 G
仓库库存编号：
IPB097N08N3 GCT-ND
别名：IPB097N08N3 GCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD068P03L3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD068P03L3GBTMA1CT-ND
别名：IPD068P03L3 GCT
IPD068P03L3 GCT-ND
IPD068P03L3GBTMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）,
无铅
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