规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 64A(Tc) 2W(Ta),89W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3103D1
仓库库存编号:
IRL3103D1-ND
别名:*IRL3103D1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 3.1W(Ta),89W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103D1S
仓库库存编号:
IRL3103D1S-ND
别名:*IRL3103D1S
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103S
仓库库存编号:
IRL3103S-ND
别名:*IRL3103S
SP001550308
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 55V 64A(Tc) 140W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP048N
仓库库存编号:
IRFP048N-ND
别名:*IRFP048N
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 64A(Tc) 3.8W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
94-2989
仓库库存编号:
94-2989-ND
别名:*IRFZ48NS
IRFZ48NS
IRFZ48NS-ND
SP001518334
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 64A(Tc) 3.8W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ48NSTRR
仓库库存编号:
IRFZ48NSTRR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) TO-262
型号:
IRL3103L
仓库库存编号:
IRL3103L-ND
别名:*IRL3103L
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103STRL
仓库库存编号:
IRL3103STRL-ND
别名:SP001573698
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 64A(Tc) 3.8W(Ta),130W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ48NL
仓库库存编号:
IRFZ48NL-ND
别名:*IRFZ48NL
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 3.1W(Ta),89W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103D1STRL
仓库库存编号:
IRL3103D1STRL-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103STRR
仓库库存编号:
IRL3103STRR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 71W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7811WPBF
仓库库存编号:
IRLR7811WPBF-ND
别名:*IRLR7811WPBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103SPBF
仓库库存编号:
IRL3103SPBF-ND
别名:*IRL3103SPBF
SP001578512
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 64A(Tc) 2W(Ta),89W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3103D1PBF
仓库库存编号:
IRL3103D1PBF-ND
别名:*IRL3103D1PBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) TO-262
型号:
IRL3103LPBF
仓库库存编号:
IRL3103LPBF-ND
别名:*IRL3103LPBF
SP001573736
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 64A(Tc) 3.8W(Ta),130W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ48NLPBF
仓库库存编号:
IRFZ48NLPBF-ND
别名:*IRFZ48NLPBF
SP001576332
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 71W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7811WCPBF
仓库库存编号:
IRLR7811WCPBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103STRRPBF
仓库库存编号:
IRL3103STRRPBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 71W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7811WCTRRP
仓库库存编号:
IRLR7811WCTRRP-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 71W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7811WCTRLP
仓库库存编号:
IRLR7811WCTRLP-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
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IRL3103D1STRLP
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别名:IRL3103D1STRLPCT
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