规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 830W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX64N50P
仓库库存编号：
IXFX64N50P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1000W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX64N50Q3
仓库库存编号：
IXFX64N50Q3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1000W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK64N50Q3
仓库库存编号：
IXFK64N50Q3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX64N60Q3
仓库库存编号：
IXFX64N60Q3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 64A（Tc） 50W（Tc） 8-PDFN（3x3）
型号：
TSM085P03CV RGG
仓库库存编号：
TSM085P03CV RGGTR-ND
别名：TSM085P03CV RGGTR
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 64A（Tc） 50W（Tc） 8-PDFN（3x3）
型号：
TSM085P03CV RGG
仓库库存编号：
TSM085P03CV RGGCT-ND
别名：TSM085P03CV RGGCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 64A（Tc） 50W（Tc） 8-PDFN（3x3）
型号：
TSM085P03CV RGG
仓库库存编号：
TSM085P03CV RGGDKR-ND
别名：TSM085P03CV RGGDKR
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 64A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STF140N8F7
仓库库存编号：
497-14227-5-ND
别名：497-14227-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 64A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP90220E-GE3
仓库库存编号：
SUP90220E-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 230W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SUM90220E-GE3
仓库库存编号：
SUM90220E-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 64A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） TO-251
型号：
IXTU64N055T
仓库库存编号：
IXTU64N055T-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 64A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 400W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ64N25P
仓库库存编号：
IXTQ64N25P-ND
别名：Q2310188
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 64A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 400W（Tc） TO-268
型号：
IXTT64N25P
仓库库存编号：
IXTT64N25P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 64A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 357W（Tc） TO-247
型号：
IXTH64N10L2
仓库库存编号：
IXTH64N10L2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述：通孔 N 沟道 650V 64A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG64N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHG64N65E-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 64A（Tc） 46W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC065N06LS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC065N06LS5ATMA1-ND
别名：SP001385614
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 94W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3103STRLPBF
仓库库存编号：
IRL3103STRLPBF-ND
别名：SP001552534
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 250V 64A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI200N25N3 G
仓库库存编号：
IPI200N25N3 G-ND
别名：IPI200N25N3G
IPI200N25N3GAKSA1
SP000714308
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） D2PAK
型号：
IRL3103D1STRR
仓库库存编号：
IRL3103D1STRR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 64A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 64A（Tc） 150W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUFA75433S3ST
仓库库存编号：
HUFA75433S3ST-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 64A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 64A（Tc） 130W（Tc） TO-220
型号：
NDP7061
仓库库存编号：
NDP7061-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 64A TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 250V 64A（Tc） 357W（Tc） TO-3PN
型号：
FDA2712
仓库库存编号：
FDA2712-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 64A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 64A（Tc） 130W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP64N055T
仓库库存编号：
IXTP64N055T-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 64A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 64A（Tc） 130W（Tc） TO-252
型号：
IXTY64N055T
仓库库存编号：
IXTY64N055T-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 64A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
BUK7619-100B,118
仓库库存编号：
568-5853-1-ND
别名：568-5853-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）,
无铅
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