规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） 280W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH21N50Q
仓库库存编号：
IXFH21N50Q-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 21A（Tc） 280W（Tc） TO-268
型号：
IXFT21N50Q
仓库库存编号：
IXFT21N50Q-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5
详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
型号：
FMD21-05QC
仓库库存编号：
FMD21-05QC-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5
详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
型号：
FDM21-05QC
仓库库存编号：
FDM21-05QC-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 21A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX21N100Q
仓库库存编号：
IXFX21N100Q-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 21A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK21N100Q
仓库库存编号：
IXFK21N100Q-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 900V 21A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR40N90P
仓库库存编号：
IXFR40N90P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 21A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN21N100Q
仓库库存编号：
IXFN21N100Q-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 21A（Tc） 500W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK21N100
仓库库存编号：
IXTK21N100-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 21A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN21N100
仓库库存编号：
IXTN21N100-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 21A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFE23N100
仓库库存编号：
IXFE23N100-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 21A ISOPLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 1100V 21A（Tc） ISOPLUS264?
型号：
IXFL40N110P
仓库库存编号：
IXFL40N110P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB530N15N3GATMA1
仓库库存编号：
IPB530N15N3GATMA1CT-ND
别名：IPB530N15N3 GCT
IPB530N15N3 GCT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3315STRLPBF
仓库库存编号：
IRF3315STRLPBF-ND
别名：SP001563170
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 150V 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI530N15N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPI530N15N3GXKSA1-ND
别名：IPI530N15N3 G
IPI530N15N3 G-ND
SP000807642
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 21A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3
型号：
BUZ30AH3045AATMA1
仓库库存编号：
BUZ30AH3045AATMA1CT-ND
别名：BUZ30AH3045AINCT
BUZ30AH3045AINCT-ND
BUZ30AL3045AINCT
BUZ30AL3045AINCT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF3315STRL
仓库库存编号：
AUIRF3315STRL-ND
别名：SP001520192
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 21A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 560V 21A（Tc） 34.5W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA21N50C3
仓库库存编号：
SPA21N50C3IN-ND
别名：SP000216364
SPA21N50C3IN
SPA21N50C3X
SPA21N50C3XK
SPA21N50C3XKSA1
SPA21N50C3XTIN
SPA21N50C3XTIN-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 21A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 560V 21A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI21N50C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI21N50C3XKSA1-ND
别名：SP000681012
SPI21N50C3
SPI21N50C3-ND
SPI21N50C3X
SPI21N50C3XK
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R165CPXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R165CPXKSA1-ND
别名：IPA60R165CP
IPA60R165CP-ND
SP000096437
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 21A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 21A（Tc） 192W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R165CPAKSA1
仓库库存编号：
IPI60R165CPAKSA1-ND
别名：IPI60R165CP
IPI60R165CP-ND
SP000276736
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 21A（Tc） 128W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL65R099C7AUMA1
仓库库存编号：
IPL65R099C7AUMA1-ND
别名：SP001032722
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Tc） 160W（Tc） TO-247-3
型号：
STW25NM60N
仓库库存编号：
497-5025-5-ND
别名：497-5025-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
型号：
STF25NM60N
仓库库存编号：
497-5005-5-ND
别名：497-5005-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
型号：
STP25NM60N
仓库库存编号：
497-5020-5-ND
别名：497-5020-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Tc）,
无铅
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