规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(102)
分立半导体产品
(102)
筛选品牌
Fairchild/Micross Components(2)
Infineon Technologies(39)
IXYS(4)
Kionix Inc.(1)
Microsemi Corporation(4)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(2)
Nexperia USA Inc.(6)
NXP USA Inc.(2)
ON Semiconductor(16)
Renesas Electronics America(1)
STMicroelectronics(10)
Vishay BC Components(9)
Vishay Beyschlag(5)
Vishay Sprague(1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-247AD
型号：
SIHW33N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHW33N60E-GE3-ND
别名：SIHW33N60E-GE3CT
SIHW33N60E-GE3CT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 33A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 500V 33A（Tc） 416W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK33N50
仓库库存编号：
IXFK33N50-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 33A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 500V 33A（Tc） 416W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK33N50
仓库库存编号：
IXTK33N50-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 695W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN40N90P
仓库库存编号：
IXFN40N90P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
型号：
APT33N90JCU2
仓库库存编号：
APT33N90JCU2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
型号：
APT33N90JCU3
仓库库存编号：
APT33N90JCU3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 800V 33A（Tc） 543W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT32M80J
仓库库存编号：
APT32M80J-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
型号：
APT33N90JCCU2
仓库库存编号：
APT33N90JCCU2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 33A（Tc） 960W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT32F120J
仓库库存编号：
APT32F120J-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 33A ISOPLUS227
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 33A（Tc） 580W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFE36N100
仓库库存编号：
IXFE36N100-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 33A（Tc） 144W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS5615TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS5615TRLPBFCT-ND
别名：IRFS5615TRLPBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 33A（Tc） 144W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRFR4615TRL
仓库库存编号：
AUIRFR4615TRL-ND
别名：SP001518604
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 33A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS33N15DTRLP
仓库库存编号：
IRFS33N15DTRLP-ND
别名：SP001573500
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 150V 33A（Tc） 144W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL5615PBF
仓库库存编号：
IRFSL5615PBF-ND
别名：SP001567730
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 33A（Tc） 120W（Tc） PG-TO263-5
型号：
BTS247ZE3062AATMA2
仓库库存编号：
BTS247ZE3062AATMA2-ND
别名：SP000910846
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 33A（Tc） 171W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R065C7XKSA1
仓库库存编号：
IPP65R065C7XKSA1-ND
别名：SP001080100
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-247-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 33A（Tc） 171W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R065C7XKSA1
仓库库存编号：
IPW65R065C7XKSA1-ND
别名：SP001080116
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO247-4
详细描述：通孔 N 沟道 650V 33A（Tc） 171W（Tc） PG-TO247-4
型号：
IPZ65R065C7XKSA1
仓库库存编号：
IPZ65R065C7XKSA1-ND
别名：SP001080120
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 33A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 33A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP250
仓库库存编号：
497-2639-5-ND
别名：497-2639-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 33A（Tc） 120W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF540N_R4942
仓库库存编号：
IRF540NFS-ND
别名：IRF540N_R4942-ND
IRF540NFS
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 33A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 33A（Tc） 127W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP33N10L
仓库库存编号：
FQP33N10L-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 33A（Tc） 120W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUF75631S3S
仓库库存编号：
HUF75631S3S-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 33A（Tc） 120W（Tc） TO-220AB
型号：
HUF75631P3
仓库库存编号：
HUF75631P3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 33A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 100V 33A（Tc） 85W（Tc） TO-3PF
型号：
FQAF44N10
仓库库存编号：
FQAF44N10-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 250V 33A（Tc） 235W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
FDI33N25TU
仓库库存编号：
FDI33N25TU-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
