规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 74W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC360N15NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC360N15NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC360N15NS3 GCT
BSC360N15NS3 GCT-ND
BSC360N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 144W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS4615TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS4615TRLPBFCT-ND
别名：IRFS4615TRLPBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 33A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 127W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP33N10
仓库库存编号：
FQP33N10-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 33A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 235W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP33N25
仓库库存编号：
FDP33N25-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 33A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 140W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP140NPBF
仓库库存编号：
IRFP140NPBF-ND
别名：*IRFP140NPBF
SP001575786
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP33N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHP33N60E-GE3-ND
别名：SIHP33N60EGE3
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 550V 33A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 190W（Tc） TO-247
型号：
STW36N55M5
仓库库存编号：
497-13285-5-ND
别名：497-13285-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 33A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT8020JLL
仓库库存编号：
APT8020JLL-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB33N15DPBF
仓库库存编号：
IRFB33N15DPBF-ND
别名：*IRFB33N15DPBF
SP001566470
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 3.75W（Ta），127W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB33N10TM
仓库库存编号：
FQB33N10TMCT-ND
别名：FQB33N10TMCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V MLFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 44W（Tc） LFPAK33
型号：
BUK7M21-40EX
仓库库存编号：
1727-2559-1-ND
别名：1727-2559-1
568-13003-1
568-13003-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 75W（Tc） LFPAK33
型号：
BUK9M28-80EX
仓库库存编号：
1727-2578-1-ND
别名：1727-2578-1
568-13022-1
568-13022-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 130W（Tc） D2PAK
型号：
IRF540NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF540NSTRLPBFCT-ND
别名：IRF540NSTRLPBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 45W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK9Y21-40E,115
仓库库存编号：
1727-1123-1-ND
别名：1727-1123-1
568-10278-1
568-10278-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 33A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 227W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA28N15
仓库库存编号：
FQA28N15-ND
别名：Q2458553
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 33A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
STW42N65M5
仓库库存编号：
497-8796-5-ND
别名：497-8796-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 245W（Tc） TO-3PN
型号：
FDA33N25
仓库库存编号：
FDA33N25-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
DUAL N-CHANNEL 60 V 0.023 OHM TY
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 33A (Tc) 58W Surface Mount PowerFlat? (5x6)
型号：
STL36DN6F7
仓库库存编号：
497-17308-1-ND
别名：497-17308-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 190W（Tc） I2PAK
型号：
STI42N65M5
仓库库存编号：
497-8899-5-ND
别名：497-8899-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA18DP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIRA18DP-T1-RE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 40W（Tc） DPAK
型号：
SVD5806NT4G
仓库库存编号：
SVD5806NT4G-ND
别名：NVD5806NT4G
NVD5806NT4G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
型号：
SI4456DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4456DY-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHB33N60ET5-GE3
仓库库存编号：
SIHB33N60ET5-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHB33N60ET1-GE3
仓库库存编号：
SIHB33N60ET1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG33N60E-E3
仓库库存编号：
SIHG33N60E-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）,
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