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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 900V 4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 4A（Tc） 123W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M004A090H
  仓库库存编号：GP1M004A090H-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4A（Tc） 86.2W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP2M004A060CG
  仓库库存编号：GP2M004A060CG-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 4A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 30.4W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M004A060FG
  仓库库存编号：GP2M004A060FG-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 86.2W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M004A060HG
  仓库库存编号：GP2M004A060HG-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 4A（Tc） 98.4W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP2M004A065CG
  仓库库存编号：GP2M004A065CG-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 4A（Tc） 98.4W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M004A065HG
  仓库库存编号：GP2M004A065HG-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 4A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4A（Tc） 32W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M005A050FSH
  仓库库存编号：1560-1159-5-ND
  别名：1560-1159-1
  1560-1159-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4A（Tc） 92.5W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M005A050HS
  仓库库存编号：1560-1160-5-ND
  别名：1560-1160-1
  1560-1160-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 4A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 4A（Tc） 32.8W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M004A065FG
  仓库库存编号：1560-1195-5-ND
  别名：1560-1195-1
  1560-1195-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 4A（Tc） 98.4W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M004A065PG
  仓库库存编号：1560-1196-5-ND
  别名：1560-1196-1
  1560-1196-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 83W（Tc） TO-251
  
  型号：AOI4T60P
  仓库库存编号：AOI4T60P-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4A（Tc） 104W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD4N60_001
  仓库库存编号：AOD4N60_001-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD4T60
  仓库库存编号：AOD4T60-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  N-CHANNEL ADVANCE QFET C-SERIES
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4A（Tc） 2.5W（Ta） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FQD5N50CTM_WS
  仓库库存编号：FQD5N50CTM_WS-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 50W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM4NB60CZ C0G
  仓库库存编号：TSM4NB60CZ C0G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 40W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM4NC60CI C0G
  仓库库存编号：TSM4NC60CI C0G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 4A（Tc） 6.25W（Tc） 8-SO
  
  型号：PHK4NQ20T,518
  仓库库存编号：PHK4NQ20T,518-ND
  别名：934057303518
  PHK4NQ20T /T3
  PHK4NQ20T /T3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 4A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 4A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04N80C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD04N80C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD04N80C3INCT
  SPD04N80C3INCT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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